一、A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers（论文文献综述）
王娇娇[1]（2021）在《高功率半导体激光器封装结构优化及散热特性研究》文中提出随着现代科学和工程技术的不断进步,人们对半导体激光器输出功率和工作可靠性提出了更高的要求。由于半导体激光器的输出功率不断提高,芯片内部产生的废热也在逐渐增加,严重影响了半导体激光器的输出特性及其可靠性。因此,为了进一步提高半导体激光器的性能,优化半导体激光器的封装结构,研究半导体激光器的热特性,具有十分重要的技术前瞻性和现实意义。本文基于高功率半导体激光器热特性的基本要求,首先研究了温度对阈值电流、输出功率、热应力、寿命等特性的影响,对半导体激光器内涉及到的传热学理论进行了阐述,并对本文使用到的ANSYS有限元软件进行了简单的介绍。本文的研究内容可分为以下两个方面。（1）为了降低单管芯半导体激光器的有源区温度并提高封装器件的可靠性,基于COS封装形式,使用ANSYS有限元软件对传统正装和倒装封装下的半导体激光器进行了散热和应力分析。对传统的正装封装结构进行优化,采用具有高热导率的石墨烯薄膜作为辅助热沉,使用Solidworks Simulation软件建立了优化后的封装结构模型。该结构采用石墨烯薄膜增加半导体激光器的横向散热通道,同时采用正装封装方式以减小半导体激光器所受应力,实现了降低半导体激光器有源区温度以及热应力的目的。（2）为了节省半导体激光器的封装空间、降低多单管半导体激光器空间合束及耦合难度、提高多单管半导体激光器的输出功率,对封装结构进行优化,提出一种多单管半导体激光器堆叠排布的封装结构,采用有限元分析软件对优化后的封装器件进行了散热特性分析。通过ZEMAX软件对三个单管芯半导体激光器进行了空间合束模拟,将光束耦合进芯径200μm,数值孔径0.22的光纤中,可以达到28.6 W的激光输出,实现了在更小的设计空间里简化耦合光路,且提高半导体激光器输出功率使得器件更具稳定性的目的。
吴的海[2]（2019）在《高功率半导体激光器热设计及其对光谱特性影响的研究》文中研究指明高功率半导体激光器（HPLD）以其体积小、重量轻、效率高、成本低等优点广泛应用于泵浦固体与光纤激光器、工业加工、医疗美容、3D传感、自动驾驶等领域。受GaAs基材料本征物理属性及外延生长工艺的共同限制,LD的电光转换效率难以进一步提升。随着电流的增加,芯片产热严重,有源区温度持续升高,LD的输出功率随之发生热饱和与翻转。同时伴随着热功率的增大,芯片有源区温度的均匀性变差,导致LD光谱发生展宽,严重制约了LD的泵浦应用。因此,热管理对于HPLD来说尤为重要。本文围绕HPLD热阻和温度均匀性的优化设计,以及温度对光谱展宽的影响,开展了如下研究工作:1.推导出了适用于LD单管和巴条的三维解析热物理全面模型。针对该模型的关键性假设进行了讨论,明确了各假设所引入的误差以及该模型的适用性条件。针对传导冷却LD单管与巴条,基于波长漂移法和有限元仿真（FEM）验证了该三维解析热模型的准确性高达97%。2.基于三维解析热物理模型,研究了传导冷却HPLD单管与巴条的稳态热特性,揭示了激光器温度场、热流场的分布。研究表明:对于F-Mount单管和HardCS巴条,热流在芯片N面GaAs衬底内的扩散对整体散热的贡献分别为8%与6%,增加N面厚度和结构可进一步降低LD的热阻;揭示了测试夹具（外部散热条件）对F-Mount单管和HardCS巴条热阻的贡献分别高达36.8%和26.0%。3.提出了微分热扩散角和有效热扩散角的概念。应用微分热扩散角定量化表征了热流在LD封装体内的扩散过程;应用有效热扩散角合理化解释了传导冷却热沉各参数对激光器热阻的影响。基于三维解析热模型,给出了不同外部散热条件下传导冷却热沉、次热沉的理论热设计曲线;设计制作了两款高效散热性能的传导冷却LD巴条,将商用HardCS、MiniCS巴条的最大输出功率分别提高了12%和37%。此外,在恒定有源区温升条件下研究了封装结构对LD单管有源区内和巴条发光点之间温差的影响。4.建立了微通道液体制冷HPLD基于计算流体力学（CFD）的数值传热模型,研究了不同流量下微通道热沉（MCH）的对流换热系数（HTC）分布、流速分布、压降分布,以及各通道部分对整体散热的贡献。研究发现:微通道入口处的HTC比出口处大2个数量级;中间通道的平均HTC是底部通道和上通道的3倍;在标称流量0.3L/min下,底部通道与上通道对散热的贡献相等。对比LD巴条热阻测试结果,CFD数值模型在不同流量下的最大误差为10%。基于CFD数值计算结果,提出了HPLD微通道热沉的解析热阻网络模型,表征了MCH热阻的组成部分。相对于CFD数值模型,其热阻计算误差小于5%。此外,还对MCH进行了热阻、温度均匀性的优化,提出了三种可以减小巴条发光点间温度差异的MCH设计方案。设计制作了一款消除横向热扩散的MCH,其各发光点的温度接近100%一致,并通过LD巴条的空间光谱测试进行了验证。5.引入多高斯函数作为HPLD光谱的表征模型,并耦合三维解析热模型求解的温度场,研究了注入电流、芯片结构、封装热设计对LD单管及巴条光谱展宽的影响。研究结果表明:正常连续波（CW）模式工作时F-Mount单管和HardCS巴条单发光点的光谱FWHM展宽比例高达75%与180%;HardCS巴条发光点之间热串扰引起的光谱FWHM展展比例高达70%。在恒定有源区温升条件下,单管的光谱强度分布随着热沉厚度、宽度、长度以及次热沉厚度的增加而展宽;对于巴条,随着热沉变厚,巴条发光点之间温差减小导致了光谱宽度的减小,随着热沉变宽、次热沉变厚,巴条发光点之间温差增大导致了光谱的展宽。6.应用多高斯光谱模型研究了外延工艺一致性和封装结构形式对巴条光谱展宽的影响。研究发现:典型的外延生长工艺导致LD巴条光谱的展宽比例小于10%;对比四种常见不同封装结构的HPLD巴条,封装残余热应力对HardCS巴条的光谱展宽最为严重,展宽比例约为15%。
乔闯[3]（2019）在《980nm大功率DBR激光器的研究》文中提出980 nm波段半导体激光器因其优异的光学性质,被广泛应用于光纤放大器与其它固体激光器的泵浦源来使用,除此之外980nm半导体激光器在军事、医学、民用等领域均大放异彩,凭借其广泛的应用领域,受到科研工作者的广泛关注,其中提高器件输出功率一直是科研工作中的重要目标。为了进一步提高980nm半导体激光器的性能,使其在医疗、通信和工业等领域实现更加广泛的应用,本文以具有非对称大光腔波导结构的外延片为基础,结合分布布拉格反射技术与脊形半导体激光器制作工艺,实现了980nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。利用金属有机化合物化学气相沉积技术对980nm半导体激光器外延片进行生长,该外延片有源区为7nm厚的3量子阱的结构,采用非对称大光腔波导结构,来增加出光面光斑的横向尺寸,降低有源区光限制因子,进而降低腔面光功率密度,提高器件可靠性;通过理论计算和模拟分析,设计了光栅区长度为500μm,占空比50%,周期为890nm的六阶布拉格光栅。实验过程中,采用电子束曝光技术对光栅图形进行光刻,结合感应耦合等离子刻蚀等工艺进行光栅结构的制作;利用SiO2作为硬掩膜并减小Ar离子束流,提高掩膜的抗刻蚀比;通过增大光栅图形占空比以补偿侧蚀效应,最终制作出满足实验要求的分布布拉格光栅。利用光刻套刻技术,将脊波导与光栅结构进行对接,结合刻蚀、镀膜、解理等工艺,成功制作出腔长4000μm,条宽500μm的DBR半导体激光器。最终实现当器件注入电流23A时,输出功率高达16W,斜率效率0.73W/A,器件阈值电流0.95A,中心波长976nm,光谱线宽1.4nm。该研究为GaAs基大功率DBR半导体激光器的制作与研究提供了新思路,为半导体激光器的研制和开发利用奠定了基础。
高金伟[4]（2016）在《半导体激光器及集成器件温度控制技术的研究》文中研究指明半导体激光器作为光源,是光纤通信的核心器件。随着信息传递容量不断提升,由半导体激光器等分立器件构成的光纤通信系统不仅器件数目多,体积大,而且在能耗、成本上都有很大压力。采用集成的方法可以减少系统封装的尺寸,降低单元间的耦合损耗,减少封装成本,获得更低的能耗。光电子器件所使用的半导体材料中许多参数都是温度相关的,这导致光子集成器件对温度相当敏感。光子集成器件中不仅不同单元之间存在热串扰,工作状态的改变也会带来一定的热稳定时间。芯片的高集成度,往往带来高发热量,TEC（Thermal Electronic Cooler,半导体致冷器）的功耗也会随之骤增。因此,对半导体激光器及其集成器件的热特性及温度控制技术进行研究具有重要意义。本论文的工作可以概括如下:（1）利用有限元方法,对半导体激光器及其集成器件各单元进行建模,包括TEC,DFB（Distributed Feed Back,分布反馈）激光器,EAM（Electro-absorption Modulator,电吸收调制器）,SOA（Semiconductor Optical Amplifier,半导体光放大器）,SG-DBR（Sample Grating Distributed Bragg Reflector,采样光栅分布布拉格反射镜）激光器,并在兼顾精度的基础上对模型进行了简化,提高了仿真效率。（2）在半导体激光器及其集成器件中,通常使用热时间常数来估算器件的温度控制时间。根据热时间常数,本文提出了一种直接获得PID（Proportional-IntegralDifferential,比例-积分-微分）控制参数的方法。另外,通过分析过渡热沉及热敏电阻,改变材料与几何参数,提出了改善热时间常数的手段。并以带有SOA的SG-DBR激光器为例,分析了光子集成器件在状态改变时各段的热切换时间。（3）我们分析并对比了DFB激光器与DFB-EAM-SOA阵列器件的TEC功耗。提出了利用不同材料的过渡热沉和不同层级的TEC来降低其功耗的方法。不同的器件与模块的封装标准限制了TEC的尺寸。我们在比较不同尺寸TEC性能的基础上,我们给出了TEC选型的思路与建议。
庞勇[5]（2013）在《采用偏振合束技术的高功率光纤耦合LD无致冷封装模块研究》文中进行了进一步梳理随着半导体激光器在泵浦激光器、塑料材料焊接、医疗、打标、夜视和制导等领域的广泛应用,对半导体激光器的光束质量、功率密度、亮度的要求也越来越高。高功率半导体激光器与光纤耦合可大幅度改善光束质量,使用更小芯径的光纤输出可相对提高功率密度,多个单管激光器合束能够实现高亮度输出。本文使用圆柱透镜对激光束快轴方向压缩,利用半导体激光器线偏振度高的特性,采用偏振分束器的逆光路,将两束准直后偏振方向正交的光束合成一束同一方向输出、空间位置相重合的高能量光束,再使用Zemax软件设计出合理的聚焦透镜参数,以满足聚焦光束的入纤条件。应用Ansys软件对激光器芯片进行热分析,热传导冷却模块采用芯片倒装的方式,使用硬焊料Au-Sn将芯片焊接到铜热沉上,封装方式为F-mount封装,设计出一种高功率半导体激光器无致冷封装模块。
武斌,李毅,胡双双,蒋群杰,王海方[6]（2009）在《非制冷980nm半导体激光器封装设计与热特性分析》文中指出针对非制冷980 nm半导体激光器组件的封装结构,对采用倒装贴片封装的激光器模块内部芯片外延层、热沉和焊料层进行了优化设计,运用有限元法（FEM）对微型双列直插（mini DIL）非制冷980 nm半导体激光器在连续波（CW）驱动条件下的热场分布进行了模拟计算。对比了倒装贴片和正装贴片的激光器热特性,并对实际封装的激光器光电性能进行了测试。倒装贴片型非制冷980 nm半导体激光器的输出光谱在0～70℃时中心波长漂移仅为0.2 nm,半峰全宽（FWHM）小于1.6 nm.边模抑制比（SMSR）保持在45 dB以上,最大出纤功率达200 mW。研究结果表明,倒装贴片的非制冷980 nm半导体激光器在热稳定性和光电性能方面都有较大提高,能够满足高性能小型化掺铒光纤放大器对非制冷980 nm半导体激光器的性能要求。
李毅,胡双双,蒋群杰,武斌,俞晓静[7]（2007）在《非制冷高功率半导体泵浦激光器封装技术》文中研究表明非制冷高功率泵浦激光器在大功率、高可靠、小尺寸、低功耗、低成本等方面显现的发展潜力, 以及在全固化固体激光器和光纤放大器领域具有的优势,使非制冷高功率泵浦激光器封装技术成为急待突破的核心技术。具体工艺技术涉及光学、电学、热学、机械等,精度要求达微米数量级。系统介绍了泵浦激光器芯片的倒装贴装技术,泵浦激光器的整体结构设计,全金属化无胶封装工艺,波长锁定技术,以及可靠性评估等关键技术,阐述了非制冷高功率泵浦激光器在光通信、工业以及国防等领域的重要应用。
二、A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers（论文提纲范文）
（1）高功率半导体激光器封装结构优化及散热特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 半导体激光器 |
| 1.1.1 半导体激光器简介 |
| 1.1.2 半导体激光器的工作原理 |
| 1.1.3 半导体激光器的特点及应用 |
| 1.2 半导体激光器封装技术 |
| 1.2.1 半导体激光器封装形式 |
| 1.2.2 半导体激光器热管理技术 |
| 1.2.3 半导体激光器封装工艺 |
| 1.3 研究的目的与意义 |
| 1.4 国内外研究现状 |
| 1.4.1 半导体激光器热特性 |
| 1.4.2 半导体激光器封装结构 |
| 1.4.3 半导体激光器散热材料 |
| 1.5 本论文的主要工作及安排 |
| 第2章 半导体激光器热分析的理论基础 |
| 2.1 温度对半导体激光器性能的影响 |
| 2.1.1 温度对阈值电流的影响 |
| 2.1.2 温度对工作波长的影响 |
| 2.1.3 温度对输出功率的影响 |
| 2.1.4 温度对热应力的影响 |
| 2.1.5 温度对寿命的影响 |
| 2.2 传热学的基本理论 |
| 2.2.1 半导体激光器热量传递的基本方式 |
| 2.2.2 半导体激光器热阻 |
| 2.3 ANSYS有限元分析的基本过程 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 单管芯半导体激光器应力及散热特性研究 |
| 3.1 COS封装半导体激光器应力及热特性分析 |
| 3.1.1 应力对半导体激光器特性的影响 |
| 3.1.2 COS封装半导体激光器应力分析 |
| 3.1.3 COS封装半导体激光器散热特性分析 |
| 3.2 基于石墨烯薄膜热沉的封装结构热应力分析 |
| 3.2.1 石墨烯导热性能 |
| 3.2.2 石墨烯薄膜热沉封装结构设计 |
| 3.2.3 石墨烯薄膜热沉封装结构热应力评价 |
| 3.3 基于石墨烯薄膜热沉的封装结构散热特性研究 |
| 3.4 封装工艺制备及测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 多单管半导体激光器热分析及光纤耦合技术研究 |
| 4.1 多单管堆叠半导体激光器热分析 |
| 4.1.1 封装结构设计及热特性分析 |
| 4.1.2 多单管堆叠的半导体激光器P-I特性分析 |
| 4.2 基于多单管的光纤耦合模块设计 |
| 4.2.1 光纤耦合条件 |
| 4.2.2 光源的选择 |
| 4.2.3 光束准直技术研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论与创新点 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（2）高功率半导体激光器热设计及其对光谱特性影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高功率半导体激光器简介 |
| 1.1.1 基本工作原理 |
| 1.1.2 芯片结构 |
| 1.1.3 常见封装形式 |
| 1.1.4 808nm激光器的发展现状 |
| 1.2 温度对半导体激光器的影响 |
| 1.2.1 热源产生机理 |
| 1.2.2 温度对效率、功率的影响 |
| 1.2.3 温度对波长的影响 |
| 1.2.4 温度对寿命的影响 |
| 1.3 高功率半导体激光器的光谱特性 |
| 1.3.1 泵浦应用对光谱的要求 |
| 1.3.2 光谱展宽机理 |
| 1.4 国内外研究现状 |
| 1.4.1 HPLD热设计研究现状 |
| 1.4.2 HPLD光谱展宽研究现状 |
| 1.5 本论文的研究目的与意义 |
| 1.6 论文的主要研究内容 |
| 第二章 半导体激光器的稳态热物理模型 |
| 2.1 半导体激光器现有稳态热模型综述 |
| 2.2 半导体激光器的三维稳态热模型 |
| 2.2.1 单管的三维稳态热模型 |
| 2.2.2 巴条的三维稳态热模型 |
| 2.3 模型适用性讨论 |
| 2.3.1 侧边绝热边界条件的影响 |
| 2.3.2 顶面散热方式的影响 |
| 2.3.3 芯片和次热沉横向与纵向尺寸的影响 |
| 2.3.4 热源分布的影响 |
| 2.4 实验验证 |
| 2.4.1 实验原理与测试装置 |
| 2.4.2 实验结果与讨论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 传导冷却高功率半导体激光器的稳态热特性及热设计研究 |
| 3.1 传导冷却HPLD的稳态热特性 |
| 3.1.1 单管的稳态热特性 |
| 3.1.2 巴条的稳态热特性 |
| 3.2 传导冷却HPLD的封装热设计 |
| 3.2.1 传导冷却热沉设计 |
| 3.2.2 次热沉设计 |
| 3.2.3 商用LD热设计讨论及实验验证 |
| 3.3 封装热设计对有源区温度分布的影响 |
| 3.3.1 热沉设计的影响 |
| 3.3.2 次热沉设计的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 高功率半导体激光器微通道制冷器的传热特性及优化设计 |
| 4.1 HPLD微通道液体制冷器的发展现状 |
| 4.2 MCH的数值传热模型 |
| 4.2.1 物理模型及假设 |
| 4.2.2 数值模型及验证 |
| 4.3 MCH的传热与流动特性 |
| 4.3.1 传热与流动特性 |
| 4.3.2 传热、压降与流速的关系 |
| 4.3.3 实验验证与讨论 |
| 4.4 等效热阻模型 |
| 4.4.1 经典肋片数值模型 |
| 4.4.2 解析热阻网络模型 |
| 4.5 MCH的优化设计 |
| 4.5.1 热阻与压降优化 |
| 4.5.2 温度均匀性优化 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 高功率半导体激光器稳态光谱的展宽研究 |
| 5.1 光谱展宽机理及多高斯光谱模型 |
| 5.2 单管的光谱展宽 |
| 5.2.1 注入电流密度对光谱的展宽 |
| 5.2.2 芯片结构对光谱的展宽 |
| 5.2.3 封装热设计对光谱的展宽 |
| 5.2.4 实验结果与讨论 |
| 5.3 巴条的光谱展宽 |
| 5.3.1 外延工艺一致性对光谱的展宽 |
| 5.3.2 封装回流工艺对光谱的展宽 |
| 5.3.3 注入电流密度对光谱的展宽 |
| 5.3.4 封装热设计对光谱的展宽 |
| 5.3.5 实验验证与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文主要研究成果 |
| 6.2 对未来工作的展望 |
| 参考文献 |
| 附录 符号及缩写词 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）980nm大功率DBR激光器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 半导体激光器发展概述 |
| 1.2 半导体激光器原理 |
| 1.3 DBR半导体激光器的发展历程 |
| 1.4 论文研究意义及工作 |
| 1.4.1 论文研究意义 |
| 1.4.2 论文工作 |
| 第2章 DBR半导体激光器相关理论与设计 |
| 2.1 布拉格条件 |
| 2.2 半导体激光器的激射条件 |
| 2.2.1 受激发射条件 |
| 2.2.2 振荡条件 |
| 2.2.3 DBR激光器激射条件 |
| 2.3 分布布拉格反射器 |
| 2.3.1 理论分析 |
| 2.3.2 参数设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 DBR激光器制作工艺 |
| 3.1 外延材料生长方法 |
| 3.2 光栅制作方法 |
| 3.3 脊波导的制作方法 |
| 3.4 DBR激光器工艺流程 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 器件制作结果与分析 |
| 4.1 DBR光栅制作结果与分析 |
| 4.2 脊波导制作结果与分析 |
| 4.3 其它关键工艺结果与分析 |
| 4.3.1 金属电极的制作 |
| 4.3.2 腔面膜的制备 |
| 4.3.3 贴片封装 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 980nm大功率DBR激光器的输出特性 |
| 5.1 半导体激光器输出功率测量结果 |
| 5.2 半导体激光器光谱测量结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表论文 |
| 致谢 |
（4）半导体激光器及集成器件温度控制技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 半导体激光器及其集成器件热特性的研究背景 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.3 本文研究的主要内容 |
| 2 半导体激光器及其集成器件中单元热模型的建立 |
| 2.1 封装结构的建模 |
| 2.2 TEC的热模型 |
| 2.3 DFB激光器芯片的热模型 |
| 2.4 DFB-EAM-SOA阵列芯片的热模型 |
| 2.5 SG-DBR-SOA集成器件芯片的热模型 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 半导体激光器及其集成器件模块的温度控制 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 DFB激光器温度控制的研究 |
| 3.3 SGDBR-SOA模块的动态温度控制 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 半导体激光器及其集成器件的TEC功耗的研究 |
| 4.1 DFB激光器的TEC功耗的研究 |
| 4.2 DFB-EAM-SOA阵列的TEC功耗的研究 |
| 4.3 不同封装标准对TEC功耗的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录一 攻读硕士学位期间发表论文目录 |
| 附录二 全文符号缩略表 |
（5）采用偏振合束技术的高功率光纤耦合LD无致冷封装模块研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体激光器的发展 |
| 1.2.1 半导体激光器的产生 |
| 1.2.2 半导体激光器的发展 |
| 1.2.3 光纤耦合技术发展 |
| 1.3 国内外单管心激光器耦合研究现状 |
| 1.4 研究的意义 |
| 1.4.1 光纤耦合的意义 |
| 1.4.2 研究单管心激光器合束的意义 |
| 1.4.3 研究无制冷封装的意义 |
| 1.5 主要研究内容 |
| 第二章 LD的光束特性及准直 |
| 2.1 LD的工作原理与结构 |
| 2.1.1 LD工作原理 |
| 2.1.2 LD的结构 |
| 2.2 LD光束特性 |
| 2.3 柱透镜准直 |
| 2.3.1 圆柱透镜准直的数学理论 |
| 2.3.3 模拟结果与理论结果对比 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 半导体激光器合束技术 |
| 3.1 合束技术介绍 |
| 3.2 偏振合束技术 |
| 3.2.1 LD的偏振特性 |
| 3.2.2 偏振器件 |
| 3.2.3 偏振合束技术原理 |
| 3.3 空间合束技术 |
| 3.4 波长合束技术 |
| 3.4.1 波长合束原理 |
| 3.4.2 增透膜和增反膜 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 光纤耦合模块及耦合效率分析 |
| 4.1 光纤简介 |
| 4.1.1 光纤结构 |
| 4.1.2 光纤的传光原理 |
| 4.1.3 入纤条件 |
| 4.2 聚焦光学系统 |
| 4.2.1 透镜设计满足的条件 |
| 4.2.2 聚焦透镜设计 |
| 4.3 耦合效率分析 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 无致冷传导冷却结构设计 |
| 5.1 激光器热量来源及影响 |
| 5.2 半导体激光器的致冷 |
| 5.2.1 微通道热沉冷却 |
| 5.2.2 传导冷却热沉 |
| 5.3 正装与倒装贴片技术 |
| 5.4 焊料与热沉的选择 |
| 5.5 单管封装方式对比 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 整体模块设计与装配过程 |
| 6.1 铜热沉设计 |
| 6.2 组合式壳体设计 |
| 6.3 装配过程介绍 |
| 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（6）非制冷980nm半导体激光器封装设计与热特性分析（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 结构设计和有限元热特性分析 |
| 3 非制冷980 nm半导体激光器倒装贴片封装工艺 |
| 4 光电性能测试 |
| 5 结论 |
四、A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers（论文参考文献）
- [1]高功率半导体激光器封装结构优化及散热特性研究[D]. 王娇娇. 长春理工大学, 2021(02)
- [2]高功率半导体激光器热设计及其对光谱特性影响的研究[D]. 吴的海. 中国科学院大学(中国科学院西安光学精密机械研究所), 2019(05)
- [3]980nm大功率DBR激光器的研究[D]. 乔闯. 长春理工大学, 2019(01)
- [4]半导体激光器及集成器件温度控制技术的研究[D]. 高金伟. 华中科技大学, 2016(11)
- [5]采用偏振合束技术的高功率光纤耦合LD无致冷封装模块研究[D]. 庞勇. 长春理工大学, 2013(08)
- [6]非制冷980nm半导体激光器封装设计与热特性分析[J]. 武斌,李毅,胡双双,蒋群杰,王海方. 中国激光, 2009(04)
- [7]非制冷高功率半导体泵浦激光器封装技术[A]. 李毅,胡双双,蒋群杰,武斌,俞晓静. 2007年先进激光技术发展与应用研讨会论文集, 2007