一、36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器（论文文献综述）
刘欣[1]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中进行了进一步梳理有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
朱卫利[2]（2015）在《掺杂RFeO3（R=Y,Pr,Sm）陶瓷的力学、介电和磁性能研究》文中进行了进一步梳理功能材料是二十一世纪高新技术发展最重要的先导性和基础性材料之一,在国际上,对于新型功能材料的开发和研究一直都很活跃。它的进步推动着诸如信息、电子、机械、化工、航天和通讯等尖端的高科技产业的飞速发展。稀土正铁氧体材料作为一种新型电子材料,目前已在信息产业,电子传感等领域被广泛应用,因此具有较大的研究价值和应用前景,一直是凝聚态物理和材料科学领域探索和开发功能体系的热点之一。力学谱是研究固体材料中的相变和微观单元如点缺陷、位错、晶界、畴界的动力学行为的有用手段。本篇博士论文展示了我们对YFei-xMnxO3,Pr1-xSrxFeO3和SmFe1-xCrxO3陶瓷样品所作的力学性能、介电性能和磁性能方面的研究工作。其中,以音频内耗谱测量为主要手段并结合介电性能和磁性能探究在这些RFeO3中出现的诸如过渡金属离子变价、polaron跃迁、氧空位冻结、磁自旋重新取向、自旋玻璃化、电荷有序、多铁性（磁介电、磁电）现象及元素掺杂替代等物理问题及相应的力学谱的起源。具体内容分为以下几部分:1.YFeO3是一种畸变的钙钛矿结构,空间群为Pnma,反铁磁转变温度TN640K,YMnO3为多铁性,具有高的铁电转变温度TC～900K,反铁磁转变温度较低TN～70K。P.Mandal等人报道了二者的固溶体不但呈现出自旋重取向还展现出磁电效应和磁介电效应。本章用溶胶-凝胶法制备了 YFei-xMnxO3（x=0.0,0.2,0.3,0.4）系列陶瓷样品,用音频内耗谱仪对样品进行了 100-360K的力学谱分析。在不同锰含量的样品中,都在150K和230K附近观测到两个内耗峰P1峰和P2峰,这两个峰都具有频率弥散性,且模量在P1峰附近伴随有阶梯状异常。P1峰的峰温与测量频率之间满足Vogel-Fulcher关系,得到的参数值分别为τ0=4.45×10-11s,Eα=0.03eV,TVF=155K。氧处理后P1峰高度下降。在排除可能的磁玻璃转变后,认为P1峰可能是由氧空位冻结所引起。230K附近的内耗峰P2峰表现出热力学弛豫过程,满足Arrhenius关系,介电性能的测量也证明了这一点,P2峰和低温介电弛豫峰都是由电子在Fe2+和Fe3+形成的双位极化子间跃迁所引起。XPS分析也表明材料中Fe2+和Fe3+的存在。内耗峰的强度随Mn掺杂比例的增加而增强,应来源于样品中氧空位的增加。氧空位的增加会引起Fe2+含量的增加。这使得Fe2+和Fe3+之间形成更多的双位极化子,从而引起更多的电子转移跃迁过程发生。此外,随Mn掺杂的增加弛豫激活能减少,说明电子在Fe2+和Fe3+形成的双位极化子之间的跃迁是相关联的而不是独立的行为,这种关联性随Fe2+的增多而增强,因此激活能随Mn含量的增加而降低。2.在Pr1-xSrxFeO3中,当x=2/3时观测到电荷有序（CO）现象,C.F.Zhu等人报道了超声测量中CO引起的模量软化的现象,而在其他组分及音频范围是否也会出现CO现象,这对于CO的起因及相关物理研究是有意义的。本章用固相法制备了 Pr1-xSrxFeO3（x=0.5,0.55,0.6）系列陶瓷样品,用音频内耗谱仪对所有样品进行力学谱测量,所有样品在130K左右都观测到一个内耗峰P1,此外在200K左右存在一个模量弯折（kink）TM。P1峰表现出热力学弛豫过程;同时介电谱测量表明在50-150K温区也出现热激活的弛豫过程的损耗峰,通过该峰位的Arrhenius拟合分析,得到x=0.5,0.55,0.6样品的介电弛豫激活能分别为0.14eV,0.13eV和0.11eV。内耗峰P1峰和介电弛豫峰发生在相同的温区,它们的弛豫行为应该来源于相同的机制,都是由电子在Fe4+和Fe3+形成的双位极化子间跃迁所产生;XPS分析也表明材料中Fe4+和Fe3+的存在。200K处TM的模量弯折（kink）没有明显的频率色散性,结合其特征及FC及ZFC磁性能测量结果,TM处的模量弯折与自旋玻璃冻结有关。介电测量中在200K左右的异常和模量弯折以及磁性冻结发生的温区相同,在这个温区,有可能会有磁电效应或磁介电效应,这值得进一步研究,此外,讨论了未观测到CO的原因。3.SmFeO3属于正交结构,空间群为Pnma,反铁磁Neel温度TN～670K,自旋重取向温度TSR～480K。Jung.-Hoon.Lee等人报道了 SmFeO3单晶的铁电极化出现在室温附近且这一铁电极化会持续到反铁磁相变Neel温度附近。SmCrO3具有与SmFeO3相同的晶体结构和类似的磁性特征,反铁磁有序温度为197K,自旋重取向温度发生在40K附近,B.Rajeswaran等人发现SmCrO3在自旋重取向温度附近具有介电异常现象。文献报道,二者形成的固溶体SmCr1-xFexO3（0≤x≤0.5）呈现出丰富的磁性特征,且x=0.5的反铁磁Neel温度为310K。在此基础上研究二者固溶体的力学谱,介电性能和室温磁介电性能也显得尤为重要。本章用固相法制备了 SmFe1-xCrxO3（x=0.0,0.1,0.3,0.5）系列陶瓷样品,用音频内耗谱仪对所有样品进行力学谱测量,所有样品中都在150K,250K和300K表现出三个内耗峰P1峰,P2峰和P3峰。三个内耗峰对应的峰温随Cr含量的变化没有明显的移动,但内耗峰的强度随Cr含量的增加明显增强,同时,模量的异常随Cr含量的增加变得越来越明显。在介电性能的测量中,150-250K温区和270-400K温区间分别表现出明显的介电弛豫特征并满足Arrhenius关系,得到低温介电弛豫的激活能分别为0.26eV,0.25eV,0.24eV和0.22eV,它是由电子在Fe2+和Fe3+形成的双位极化子间跃迁所产生,XPS分析也表明材料中Fe2+和Fe3+的存在;高温介电弛豫峰的激活能分别为0.63eV,0.36eV,035eV和0.33eV,根据激活能的大小,认为它可能是由氧空位的二次电离所产生,双氧水处理后激活能的增加也反映了这一点。结合介电性能及YFe1-xMnxO3系统中相关的内耗结果,我们推断P1峰可能由氧空位冻结产生,P2峰和P3峰应该分别和低温介电弛豫峰和高温介电弛豫峰产生的机制相同。内耗峰的强度随Cr含量的增加而增强,来源于样品中氧空位的增加,这使Fe2+的相对含量增加及氧空位二次电离更容易发生。从而引起激活能随掺杂比例的增加而减少。热性能的分析表明Cr的引入会使SmFe1-xCrxO3系统的磁相变温度向低温移动,磁相变温度与内耗峰温度的差异排除了内耗峰的机理与磁转变有关的可能性。另外,在我们的实验中,没有观测到x=0.5组分的磁介电效应。
徐亚新[3]（2013）在《YBCO高温超导薄膜的溅射法快速制备研究》文中研究表明YBa2Cu3O7-δ（YBCO）高温超导薄膜凭借其优异的性能在电力电网、移动通讯、军事国防等领域都具有极其广阔的应用前景和使用价值。为了推动YBCO薄膜的大批量产业化生产，本论文以保证薄膜质量为前提，提高沉积速率为目的，展开了YBCO高温超导薄膜的溅射法快速制备研究，主要包括以下几方面：1.溅射法快速镀膜设备的设计：通过缩小靶基距和采用平面靶两种方式实现沉积速率的提高，多工位夹具实现多片膜同时制备以提高薄膜的制备效率，靶材盒型结构的设计和基片公自转相结合的运动方式保证了大面积薄膜的面内均匀性。2.模拟计算了小靶基距盒型靶溅射薄膜的厚度分布，分析结果显示：盒型靶溅射的沉积速率由靶中心部位向两侧递减，并且随着靶基距的增大，膜厚均匀性得到改善，但薄膜的沉积速率降低；较高气压下溅射时的膜厚均匀性要优于低气压溅射的膜厚均匀性。3.对静止基片的膜厚分布进行了实验研究，结果表明：在沉积速率较低时，膜厚分布模型的模拟结果与实际膜厚分布结果基本相符；但当沉积速率较快时，实验数据显示薄膜厚度在靶材的中心部位比其附近两侧偏低，这与模拟结果不同，此差异源于理论模拟时忽略了盒型靶各个面的平面靶的溅射粒子之间的相互影响。4.使用自行设计的溅射法快速镀膜设备制备了2英寸双面YBCO高温超导薄膜样品，对样品的均匀性分析表明：薄膜的面内均匀性良好，但两面的性能存在一定的差异，这主要是由于难以保证两个靶材的溅射状态完全相同；同时在沉积速率上，设计的快速溅射法使得每片薄膜的平均制备时间缩小为原来的三分之一。5.采用溅射法制备了YBCO超导薄膜，计算了YBCO薄膜中的位错密度，并研究了位错密度与自场下YBCO薄膜临界电流密度（Jc）之间的关系，结果表明：YBCO薄膜在自场下的临界电流密度对螺旋位错密度比对刃型位错密度更加敏感，这主要是由YBCO薄膜的螺旋生长机制引起的。
闫博[4]（2010）在《基于ADS的射频功率放大器设计与仿真》文中进行了进一步梳理近年来随着无线通信的迅速发展,现代通讯系统对发射机的要求越来越高,射频功率放大器作为发射机的重要部件,对发射机系统的性能指标起着关键作用,功率放大器在整个无线通信系统中是非常重要的一环,因为它的输出功率决定了通信距离的长短,其效率决定了电池的消耗程度及使用时间,所以设计性能指标良好的射频功率放大器有着非常重要的意义。本文借助ADS仿真软件的强大功能对晶体管进行建模仿真,在这个基础上对晶体管的稳定性进行了分析,采用了负载牵引法并结合Smith圆图,对输入输出阻抗匹配电路进行了仿真优化设计。论文主要工作如下:一是从功率放大器的物理结构上分析了射频功率放大器非线性特性产生的原因及其对通信系统的影响,讨论了功率放大器的非线性分析模型,即幂级数分析模型,Volterra级数分析模型和谐波平衡分析模型,并简要的说明了它们各自的特点,总结出了谐波平衡分析法的优点,指出它适合用于射频功率放大器的大信号非线性分析。二是分析了射频功率放大器偏置和匹配电路设计中的一些基本问题,比较了有源和无源偏置网络的优缺点,讨论了输入、输出匹配电路和级间匹配电路设计的重点问题。介绍了负载牵引设计方法,它是在具备功率管大信号模型的基础上对负载和源进行牵引仿真,从而确定输出、输入阻抗。三是在射频功率放大器的设计过程中,主要使用了ADS软件进行辅助分析设计。正是通过对软件功能的充分应用,替代了射频功率放大器设计中许多原来需要人工进行的运算工作,提高了工作效率。从仿真结果来看,都达到了预期的设计目标,验证说明了ADS仿真软件在射频功率放大电路设计方面的实用性与优越性,具有继续进行深入研究的价值。
王一杰[5]（2007）在《一种高温超导介质振荡器的设计与实现》文中提出高温超导技术在现代军用、民用电子系统中的应用日益广泛，本设计应用超导技术制作了一个超导振荡器，这种振荡器的优点是在微波毫米波频段能获得较好的相噪特性。在高温超导介质振荡器此领域，国内、外已有相关设计文献报道。本文改进了传统设计，如把谐振器的输入输出口耦合装置由电流环改为截止波导口，采用结构先进的滤波器结构，小型化设计等，使得超导振荡器的电路结构更加合理。本设计分别对两端加载超导薄膜蓝宝石介质谐振器、三级级联的低噪声放大器、缓冲放大器、阶跃阻抗变换椭圆函数滤波器、3dB定向耦合器，移相器等电路进行深入研究，初步设计，使其基本上达到设计要求，并分析了设计中存在的具体问题，为下一步制作高性能介质振荡器打下基础。本系统采用STIRING制冷机提供器件所需的制冷环境。该制冷机制冷效率高，功耗小，具有很好的工程应用前景。
陈振邦[6]（1990）在《超导技术在雷达系统中的潜在应用》文中指出本文首先扼要介绍了超导材料的开发现状,然后论述了超导技术在雷达天线、混频器、接收机、信号处理以及其它方面的应用前景。文章最后还提出了为加速超导技术的实用化进程应采取的措施。
R.M.马尔邦,N.K.奥斯布林克,郭福书[7]（1986）在《小信号低噪声有源器件》文中进行了进一步梳理 当晶体管放大器变得可在指定频率范围内用时,它们正在迅速取代低噪声的行波管放大器和返波管放大器来作为与电子防御有关的应用方面的前置放大器。这就意味着在讨论今日低噪声微波放大器的技术时,在很大程度上势必要讨论砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）。但是也不能忽视其它低噪声放大器技术,例如,在大容量的地面站和其它需要低噪声的
罗杰·戴维黑赛,王素玉[8]（1983）在《超导微电子学即将付诸实用》文中进行了进一步梳理低温技术的发展迅速地减小了超导电子学元部件制冷设备的尺寸、重量和价格,由此大大提高了低温超导电子学系统的实用性
周彦平[9]（1983）在《超导在美国国防科研中的应用》文中提出 超导现象是荷兰科学家卡麦林·奥尼斯在1911年发现的。奥尼斯的这个重大发现开创了超导技术发展的新时期,他本人因此而荣获了1913年的诺贝尔物理学奖金。大约从40年代末期开始,美国国防部就很重视关于超导技术的研究,为其后在国防科研中的广泛应用奠定了基础。几十年来,美国有4个科学家因从事超导技术的研究而荣获了诺贝尔物理学奖金,其中有3人都是获得了美国国防部的支持和资助的。事实表明:美国国
侯锡卿[10]（1981）在《36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器》文中研究说明在36千兆赫上用点接触约氏结观察到了二度简并参量放大作用。最好的放大器净增益为11dB,噪声温度低于50K。
二、36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器（论文提纲范文）
（1）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（2）掺杂RFeO3（R=Y,Pr,Sm）陶瓷的力学、介电和磁性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 RFeO_3材料的特点及应用前景 |
| 1.1.1 RFeO_3的晶体结构和磁性起源 |
| 1.1.2 RFeO_3的自旋重取向及磁结构 |
| 1.1.3 RFeO_3的磁光、光磁效应 |
| 1.1.4 RFeO_3的多铁性 |
| 1.1.5 RFeO_3的掺杂效应 |
| 1.2 力学谱的基本原理和内耗的基本性质 |
| 1.2.1 力学谱的基本原理 |
| 1.2.2 内耗的基本性质 |
| 1.3 RFeO_3材料研究存在的问题及可能引起内耗的物理过程 |
| 1.3.1 RFeO_3材料研究存在的问题 |
| 1.3.2 RFeO_3材料中可能引起内耗的物理过程 |
| 1.4 本论文研究的目的、意义和内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法和样品的制备 |
| 2.1 样品的制备 |
| 2.1.1 样品的制备方法 |
| 2.1.2 化学药品 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 微观结构表征仪器介绍 |
| 2.2.2 性能测量仪器介绍 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Mn掺杂YFeO_3陶瓷的力学、介电和磁性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品的制备 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 XRD表征及表面形貌 |
| 3.3.2 YFe_(1-x)Mn_xO_3系列陶瓷的力学谱分析 |
| 3.3.3 YFe_(1-x)Mn_xO_3系列陶瓷的磁性能 |
| 3.3.4 YFe_(1-x)Mn_xO_3系列陶瓷的介电性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Pr_(1-x)Sr_xFeO_3陶瓷的力学、介电和磁性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品的制备 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 XRD表征及表面形貌 |
| 4.3.2 Pr_(1-x)Sr_xFeO_3的力学谱分析 |
| 4.3.3 Pr_(1-x)Sr_xFeO_3的介电性能 |
| 4.3.4 Pr_(1-x)Sr_xFeO_3的磁性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Cr掺杂SmFeO_3陶瓷的力学和介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品的制备 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 XRD表征及表面形貌 |
| 5.3.2 SmFe_(1-x)Cr_xO_3的力学谱分析 |
| 5.3.3 SmFe_(1-x)Cr_xO_3的介电性能 |
| 5.3.4 SmFe_(1-x)Cr_xO_3的热性能分析 |
| 5.3.5 SmFe_(1-x)Cr_xO_3的磁介电性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 工作总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 博士期间已发表论文和待发表的论文 |
| 致谢 |
（3）YBCO高温超导薄膜的溅射法快速制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 超导材料的简介 |
| 1.2 高温超导材料的发展 |
| 1.3 高温超导材料的应用 |
| 1.3.1 高温超导材料在强电领域的应用 |
| 1.3.2 高温超导材料在弱电领域的应用 |
| 1.4 YBCO 高温超导薄膜的制备方法 |
| 1.5 晶体缺陷对 YBCO 薄膜性能的影响 |
| 1.6 YBCO 高温超导薄膜的研究现状 |
| 1.7 论文选题依据与研究方案 |
| 第二章 溅射原理与薄膜表征方法 |
| 2.1 直流溅射原理 |
| 2.2 薄膜表征方法 |
| 2.2.1 薄膜的晶体结构表征——X 射线衍射仪 |
| 2.2.2 薄膜的电学性能分析——临界电流密度测试仪 |
| 2.2.3 薄膜的厚度检测——触针式台阶仪 |
| 2.2.4 薄膜形貌的表征——电子扫描显微镜 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 快速直流溅射镀膜设备 |
| 3.1 快速直流溅射镀膜设备的结构与工作流程 |
| 3.2 快速直流溅射镀膜设备的特点 |
| 3.2.1 小靶基距溅射 |
| 3.2.2 溅射靶——盒型平面靶对靶溅射 |
| 3.2.3 夹具——多工位夹具 |
| 3.2.4 基片的转动方式——公、自转相结合 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 快速直流溅射 YBCO 薄膜的均匀性研究 |
| 4.1 盒型靶溅射镀膜的厚度分布模拟 |
| 4.1.1 膜厚分布模型建立 |
| 4.1.2 静止基片的膜厚分布模拟与分析 |
| 4.1.3 基片旋转方式对膜厚分布的影响 |
| 4.2 实验数据分析 |
| 4.2.1 压强对膜厚分布的影响 |
| 4.2.2 功率对膜厚分布的影响 |
| 4.2.3 靶基距对膜厚分布影响 |
| 4.3 YBCO 薄膜的均匀性研究 |
| 4.3.1 YBCO 薄膜的膜厚均匀性 |
| 4.3.2 YBCO 薄膜的结构均匀性 |
| 4.3.3 YBCO 薄膜的电学性能均匀性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 溅射法制备 YBCO 薄膜的缺陷机制研究 |
| 5.1 YBCO 外延薄膜中位错密度的计算方法 |
| 5.2 生长温度对 YBCO 薄膜晶体缺陷的影响 |
| 5.2.1 生长温度对 YBCO 薄膜晶体结构的影响 |
| 5.2.2 不同生长温度的薄膜中位错密度对临界电流密度的影响 |
| 5.3 薄膜厚度对 YBCO 薄膜晶体缺陷的影响 |
| 5.3.1 膜厚对 YBCO 薄膜的晶格结构的影响 |
| 5.3.2 不同厚度的 YBCO 薄膜中的位错密度对临界电流密度的影响 |
| 5.4 YBCO 薄膜中位错密度对其电学性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（4）基于ADS的射频功率放大器设计与仿真（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 射频器件方面 |
| 1.2.2 射频技术方面 |
| 1.2.3 电路设计方面 |
| 1.3 本文研究的主要工作和结构安排 |
| 第二章 射频放大电路的基本理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 非线性有源器件的等效模型 |
| 2.2.1 非线性双极型器件模型 |
| 2.2.2 非线性场效应晶体管器件模型 |
| 2.3 传输线理论 |
| 2.3.1 均匀微带传输线 |
| 2.3.2 二端口网络散射矩阵 |
| 2.4 阻抗匹配网络设计 |
| 2.4.1 集总参数匹配网络 |
| 2.4.2 分布参数匹配网络 |
| 2.5 晶体管放大器的稳定性分析 |
| 2.6 小结 |
| 第三章 射频功率放大器设计理论基础 |
| 3.1 射频功率放大器的性能指标分析 |
| 3.2 放大器的工作方式 |
| 3.2.1 A 类射频功率放大器 |
| 3.2.2 B 类射频功率放大器 |
| 3.2.3 AB 类射频功率放大器 |
| 3.2.4 C 类射频功率放大器 |
| 3.2.5 D 类射频功率放大器 |
| 3.2.6 E 类射频功率放大器 |
| 3.2.7 F 类射频功率放大器 |
| 3.3 射频功率放大器的非线性分析 |
| 3.3.1 功率放大器的非线性失真 |
| 3.3.2 功率放大器的非线性分析模型 |
| 3.4 射频功率放大器的线性化技术 |
| 3.4.1 功率回退 |
| 3.4.2 前馈 |
| 3.4.3 预失真 |
| 3.4.4 负反馈法 |
| 3.5 射频功率放大器的直流偏置电路设计 |
| 3.6 射频功率放大器的匹配电路设计 |
| 3.6.1 输入匹配电路 |
| 3.6.2 输出匹配电路 |
| 3.6.3 级间匹配电路 |
| 3.6.4 阻抗匹配设计方法概述 |
| 3.7 小结 |
| 第四章 射频功率放大器的仿真设计与分析 |
| 4.1 射频功率放大器的设计概述 |
| 4.1.1 射频功率放大器的设计要求 |
| 4.1.2 射频功率放大器设计的一般步骤 |
| 4.1.3 射频功率放大器设计的难点 |
| 4.1.4 元器件的选择 |
| 4.2 射频功率放大器仿真设计软件的介绍 |
| 4.3 射频功率放大器的仿真 |
| 4.3.1 射频功率放大器的设计参数 |
| 4.3.2 静态工作点的选择 |
| 4.3.3 偏置及稳定性分析 |
| 4.3.4 输入输出匹配 |
| 4.3.5 谐波平衡仿真 |
| 4.3.6 电路优化设计 |
| 4.3.7 改善功率放大器的非线性失真 |
| 4.3.8 印制电路版图 |
| 4.3.9 实际需要考虑的几个问题 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 附录A 优化后的功率放大器匹配电路图 |
（5）一种高温超导介质振荡器的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 超导简介和发展 |
| 1.2 超导电子技术的优越性 |
| 1.3 高温超导薄膜 |
| 1.4 工作内容 |
| 第二章 振荡器基本理论及高温超导振荡器简介 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 振荡器的基本理论 |
| 2.2.1 振荡器的长期频率稳定度分析 |
| 2.2.2 频率源的相位噪声分析 |
| 2.2.3 高温超导振荡器的振荡条件与相噪分析 |
| 第三章 高温超导介质谐振器 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 理论分析 |
| 3.2.1 场分析和谐振频率的计算 |
| 3.2.2 Q值的计算 |
| 3.3 谐振功率(Circulating Power) |
| 3.4 高 Q值 TE011模的灵敏度 |
| 第四章 微波低噪声放大器基本理论 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 噪声特性 |
| 4.2.1 热噪声 |
| 4.2.2 噪声系数 |
| 4.2.3 最佳噪声匹配 |
| 4.3 功率增益 |
| 4.4 稳定性 |
| 4.5 非线性特性 |
| 第五章 椭圆函数滤波器 |
| 5.1 简介 |
| 5.2 频率变换 |
| 5.2.1 由低通到高通的频率变换 |
| 5.2.2 由低通到带通的频率变换 |
| 5.2.3 由低通到带阻的频率变换 |
| 5.3 滤波器基本单元及谐振器的选择 |
| 第六章 高温超导振荡器的设计与制作 |
| 6.1 振荡器总体设计考虑 |
| 6.2 高 Q高温超导介质谐振器的设计与制作 |
| 6.2.1 介质谐振器总体设计考虑 |
| 6.2.2 设计方案 |
| 6.2.3 高温超导介质振荡器的制作 |
| 6.2.4 介质谐振器的仿真 |
| 6.3 振荡器电路的设计与制作 |
| 6.3.1 总体设计考虑 |
| 6.3.2 振荡器电路的设计与实现 |
| 第七章 高温超导振荡器的测试 |
| 7.1 系统仿真 |
| 7.2 制冷系统 |
| 7.2.1 热传导与绝热基础 |
| 7.2.2 制冷机 |
| 7.2.3 测试平台 |
| 7.3 高温超导振荡器的测试 |
| 7.3.1 高温超导振荡器需测试的参数 |
| 7.3.2 测试步骤及结果 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简历 |
四、36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器（论文参考文献）
- [1]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [2]掺杂RFeO3（R=Y,Pr,Sm）陶瓷的力学、介电和磁性能研究[D]. 朱卫利. 南京大学, 2015(01)
- [3]YBCO高温超导薄膜的溅射法快速制备研究[D]. 徐亚新. 电子科技大学, 2013(01)
- [4]基于ADS的射频功率放大器设计与仿真[D]. 闫博. 国防科学技术大学, 2010(05)
- [5]一种高温超导介质振荡器的设计与实现[D]. 王一杰. 电子科技大学, 2007(03)
- [6]超导技术在雷达系统中的潜在应用[J]. 陈振邦. 雷达与对抗, 1990(02)
- [7]小信号低噪声有源器件[J]. R.M.马尔邦,N.K.奥斯布林克,郭福书. 国外舰船技术.雷达与对抗, 1986(02)
- [8]超导微电子学即将付诸实用[J]. 罗杰·戴维黑赛,王素玉. 低温与超导, 1983(04)
- [9]超导在美国国防科研中的应用[J]. 周彦平. 真空与低温, 1983(01)
- [10]36千兆赫约瑟夫逊效应参量放大器[J]. 侯锡卿. 低温与超导, 1981(04)