一、大尺寸厚膜电路陶瓷基片走俏市场（论文文献综述）
陆琪[1]（2021）在《基于HTCC工艺用于DG～20GHz超宽带表贴式陶瓷封装外壳传输结构研究》文中提出陶瓷封装具有机械强度高、散热能力强、微波性能优、密封性能好等特点。高温共烧陶瓷技术作为一种相对成熟的陶瓷封装工艺,不仅被应用于航空航天以及军工装备中,还广泛应用于汽车电子、通信电子等消费市场。由于其通过多层陶瓷基片堆叠层压烧制而成,在每层陶瓷基片上可印刷带状线、微带线以及共面波导线等微波集成传输线,层与层间通过过孔互联从而提高封装密度,且非常适合于大批量生产,其性价比较高。然而在其多层互联结构中,各传输线之间并不是简单的堆叠,而是要做好阻抗匹配。因此,对高温共烧陶瓷封装中传输线的过渡结构及其传输性能进行研究是保证器件及电路的正常工作的基础,也是本文研究的重点。本文基于HTCC技术,应用HFSS仿真软件构建传输线模型,从简单的微波基础传输结构到平面同层过渡传输结构再到不同层垂直传输过渡结构,由简入繁,对陶瓷封装设计中传输路径的复杂结构模型进行仿真与优化。主要工作是对不同传输线过渡连接处做阻抗匹配,通过添加屏蔽过孔、对过渡连接处进行相应的变形或者改变连接处焊盘的尺寸等等来提高传输性能。此外本文还对BGA垂直传输结构做了详细的分析,主要从焊球的建模形状、焊球的高度以及焊盘的大小三个方面进行研究。研究发现焊球形状不是影响模型仿真结果的主要因素,但是依然有细小的区别,因为BGA在传输信号时同样遵循类同轴传输模式,焊球形状的变化必然会影响等效电路中的电容值,进而对传输效果产生影响;焊球高度直接影响等效电路中的电感值;焊盘大小会直接影响等效电路的电容值。最后基于HTCC工艺研制了一款CQFN表贴式陶瓷封装外壳,其大小为5.5mm×5.5mm×0.64mm,在DC～20GHz内回波损耗为-18d B,插入损耗小于0.7d B,传输性能优良,样件测试数据与仿真数据一致性较好,且通过了初步的可靠性测试以及芯片装载验证。具有体积小、互联密度高、热传导能力强、密封性能好等优点。
李阳阳[2]（2019）在《固态继电器用裸芯片验收评价技术研究》文中研究表明半导体器件是现代电子产品的核心,裸芯片是半导体器件封装前的模态,随着电子产品对集成电路功能与性能需求的提升,如今裸芯片的应用也越来越广泛,需要对裸芯片的质量评价与控制进行科学有效地管控。据此,本论文基于作者所在单位对裸芯片质量管控要求,开展对裸芯片入厂时的验收评价方法研究,论文的主要工作如下:首先,基于半导体塑封器件类别与特性,完成了裸芯片质量评价项目的优化,设计了固态继电器用裸芯片评价流程。根据不同种类的半导体裸芯片器件给出了质量评价的内容、评价试验电路及定量评价计算方法。其次,基于本文给出的固态继电器用裸芯片评价流程,结合裸芯片的电学性能及芯片表面材料特征,设计了测试评价的接口。根据裸芯片的自身特性,设计了四种评价接口:（1）.二极管裸芯片、稳压管裸芯片和三极管裸芯片为一体的通用接口,能够实现芯片长宽在0.6mm×0.6mm以内的二极管裸芯片、三极管裸芯片和稳压管裸芯片的评价。（2）.针对场效应管裸芯片尺寸和功率的不同,设计了两种通用评价接口:芯片尺寸长宽在2mm×1.8mm以内的小功率型场效应管裸芯片通用评价接口和芯片尺寸长宽在9.2mm×6.6mm以内的中功率型场效应管裸芯片通用评价接口。根据不同场效应管的导通电阻、评价接口的电阻、热阻等进行评估计算,对每一种场效应管设置了对应的老炼电流,给出了定量的计算方式。（3）.针发光二极管裸芯片和光电二极管阵列裸芯片需配合使用的特殊性,进行了双层接口的设计。综合以上评价接口的设计实现了裸芯片质量评价试验测试接口的多规格连接,同时所设计的评价接口均能包裹被测裸芯片并充入惰性气体,解决了高温试验环境下裸芯片表面氧化对试验结果的影响。最后,针对裸芯片评价试验前组装易产生污染源的问题,完成了裸芯片评价装配工艺流程的优化改进,设计实现了裸芯片在评价接口上免助焊剂和免清洗的可靠组装,形成厂级裸芯片评价装配作业规范。裸芯片入厂评价试验结果表明:论文研究成果满足质量管控要求,实现了厂内对裸芯片自主评价的目标。
方亮[3]（2019）在《片式薄膜电阻器薄膜层制备工艺开发与优化》文中研究说明随着工业自动化、智能化和物联网等高新技术的快速发展以及电子信息行业表面贴装的技术趋势,分立元件向着适应高密度表面贴装技术、电路集成技术的方向发展,具备小型化、高精度、低温漂等优点的片式薄膜电阻器应用越来越广泛,大量应用于电子对抗、雷达通信系统、消费电子等军民领域。国外企业几年前已经开始批产片式薄膜电阻器,而国内目前只有少数厂家能够生产此类产品,并且产品的技术水平、系列门类跟国外企业还有较大差距。作者所在单位目前已经完成部分型号片式薄膜电阻器的研发,但是还没有形成可靠、稳定的电阻薄膜层制备工艺,很大程度上制约了片式薄膜电阻器的性能指标,因此很有必要加快电阻器薄膜层制备工艺的开发与优化,形成可靠、稳定的工艺生产线。本论文基于以上背景,开展了相关工作。本论文从工程实际出发,结合片式薄膜电阻器的相关理论,吸收国内外先进的薄膜溅射加工技术及激光调阻技术,通过材料选择、关键工艺开发和工艺参数优化设计以及一系列关键工艺试验,完成片式电阻器薄膜层制备工艺水平的提高,实现作者所在单位的片式薄膜电阻器可靠性和稳定性提高,达到阻值覆盖10Ω3KΩ,批次间阻值偏差<±20%,电阻温度系数（Temperature coefficient of resistance,简称TCR）:-10ppm/℃≤TCR≤+10ppm/℃。论文开展片式电阻器薄膜层制备关键工艺技术开发和工艺参数优化设计工作,主要包括以下三方面:1、研究溅射功率、溅射时间对薄膜性能的影响,提出了在优化厚膜溅射工艺基础上,开发薄膜溅射工艺,并确定溅射工艺最优参数;研究屏栅电压和主离子束流对电阻薄膜层沉积速率、薄膜层均匀性、致密性、附着力影响,开发和优化溅射工艺。研究陶瓷基片表面粗糙度和洁净度对电阻薄膜层形成的影响,提出了基片的粗糙度和洁净度最优参数。2、研究热处理温度的均匀性对电阻薄膜层阻值和电阻温度系数均匀性的影响,摸索最佳热处理区域。开展热处理试验,研究热处理时间对电阻薄膜层阻值一致性、耐电应力性能、耐环境应力的影响,开发和优化热处理工艺。3、研究激光调阻工艺中的不同切割类型、激光功率和光斑大小等对片式薄膜电阻器薄膜层阻值精度影响,通过对薄膜调阻进行技术攻关并掌握后工序对阻值精度的影响,创新发明粗调+精调的蛇形切割激光调阻技术。
黄炎琴[4]（2019）在《无机胶粘接制备三维陶瓷基板技术研究》文中研究说明随着电子封装技术逐渐向小型化、高可靠度和低成本等方向发展,业界对封装基板提出了更高要求。陶瓷基板因其良好的耐热、导热、绝缘性及高机械强度,被广泛应用于功率器件和高温电子器件封装。传统平面陶瓷基板线路加工尺寸较大,难以满足市场需求,业界提出三维陶瓷基板技术方案。本文在分析总结现有三维陶瓷基板技术基础上,研究无机胶粘接制备三维陶瓷基板。主要研究内容包括:（1）无机胶制备。由于铝硅酸盐无机胶具有低温固化,固化体耐热性好、粘接强度高等特性,本实验采用偏高岭土和碱激发剂配置铝硅酸盐无机胶,并对其性能进行测试分析。测试项包括Zeta电位、热重-差热、XRD与SEM电镜图。根据实验结果可知,铝硅酸盐无机胶具有极好的稳定性、致密性,能在低温下固化,且无机胶能耐至少500℃高温。（2）采用无机胶粘接法制备三维陶瓷基板。首先制备平面陶瓷基板（DPC基板）与陶瓷环,随后在陶瓷环上均匀涂覆无机胶,再将DPC基板与陶瓷环对准后贴合,在一定温度下固化而成。为了防止陶瓷环内壁在涂覆无机胶时被污染,采用硅胶模具进行保护,确保无机胶涂覆后陶瓷环内壁光洁。所制备的三维陶瓷基板对准精度<3μm。（3）三维陶瓷基板制备工艺优化。研究了无机胶粘接层厚度、固化温度以及粘接面积（陶瓷环孔径）对三维陶瓷基板性能的影响。实验表明,当粘接层厚度从200μm增加到500μm时,围坝层剪切强度先上升后下降,在厚度为350μm时达到最大值（18.77MPa）;当无机胶固化温度从50℃提高到250℃时,剪切强度先快速升高,到150°C后缓慢升高;当陶瓷环内径从3.2mm增加到4.0mm时,剪切强度从5.14MPa提高到11.45MPa,泄漏率从5.60×10-10Pa·m3/s增加到2.47×10-8Pa·m3/s。（4）三维陶瓷基板性能测试。实验分析了三维陶瓷基板耐高温、热循环、高温高湿等性能。可靠性测试前分别选取八个样品,测试泄漏率值和剪切强度值作为实验对照组。结果表明,样品仍然保持较高气密性,且其剪切强度还有提高的趋势,这可能是因为在高温下进一步固化所致。因此,本文制备的无机胶粘接三维陶瓷基板具有良好的可靠性,在电子封装领域应用前景广阔。
王风雷[5]（2018）在《陶瓷压阻式压力传感器设计与实现》文中指出压力传感器在自动控制和检测中扮演着重要角色,是压力信号检测的基础,目前,压力传感器是需求量最大的传感器,已经广泛地应用在各个行业各个领域。在国内,用于厚膜压力传感器的电阻浆料其应变系数落后于国外同类型的浆料,使得国内厚膜压力传感器的满量程输出低、应变灵敏性低,与国外产品有一定差距。基于此,本论文研究了改性剂的掺杂比例对厚膜电阻浆料应变系数的影响,结合实际条件,调整高温烧结工艺曲线,印烧了厚膜电阻应变计并进行性能测试;从传感器的工作原理、工艺流程、力学特性进行研究,利用改性后的电阻浆料制作了陶瓷压力传感器。本论文主要工作如下:（1）研究了厚膜压力传感器的工作原理和工艺流程,结合薄板小挠度理论,研究分析了陶瓷弹性膜片的应力应变分布,确定了最佳电阻印烧位置。通过COMSOL有限元仿真计算,设计了一体化的传感器基座结构。（2）研究了厚膜电阻浆料的导电机理和压阻效应,以此为基础对厚膜电阻浆料进行改性实验,掺杂2.5μm的玻璃粉,主要研究不同掺量对电阻浆料应变系数的影响,采用厚膜技术印烧制备了厚膜电阻应变计,经测试,得到了应变系数为13.82,温度系数106ppm/℃的厚膜电阻浆料。（3）制作陶瓷压力传感器并测试其静态特性,其中,经矫正后传感器样品的灵敏度达到3.23.4m V/V,基本达到设计要求。对于零点温漂问题,采用分段线性插值法进行了软件温度补偿。
董其政[6]（2018）在《环保非水基流延成型制备高质量氧化锆陶瓷基片及氮化硅生坯的研究》文中研究指明本文开发了一种以无水乙醇和乙酸乙酯为混合溶剂,蓖麻油、聚乙烯醇缩丁醛和邻苯二甲酸二丁酯分别为分散剂,粘结剂和增塑剂的廉价环保非水基流延体系,并利用流延成型最终制备了氧化锆陶瓷基板和氮化硅生坯,为氧化锆陶瓷指纹识别片及高导热氮化硅基板的应用奠定了基础,具体研究内容及结果如下:针对氧化锆基板的制备:首先研究了球磨转速对氧化锆陶瓷悬浮液流变性的影响并对浆料组成（分散剂添加量、粘结剂含量、增塑剂与粘结剂的质量比及固含量）进行了优化,然后对流延制备的坯片进行了表征分析。结果表明:当第一次球磨转速为70转/min时,悬浮液具有良好的分散效果;分散剂添加量为1.0wt.%、粘结剂含量为4wt.%时,制备了固含量为60%的低黏度ZrO2浆料,并利用流延成型制备了具有致密度高、表面光滑、柔韧平整且厚度范围为（200280）μm的完整无缺陷ZrO2生坯,通过对生坯进行冷等静压后进行排胶烧结,最终得到了相对密度将近98%,介电常数为31.61的氧化锆陶瓷基片。针对氮化硅生坯的制备:首先研究了分散剂添加量、粘结剂含量及固含量对氮化硅浆料流变性能的影响,然后研究了浆料固含量对生坯气孔率及气孔平均分布的影响。结果表明:最优化的浆料组成为:分散剂含量为0.8wt.%、粘结剂含量为8wt.%、固含量为54wt.%,此时浆料具有合适的流变性,并利用流延成型制备了厚度范围为（500800）μm,孔径小、孔径分布均匀、相对密度高、柔韧光滑的无缺陷氮化硅生坯,通过对生坯进行冷等静压,生坯的致密度明显提高。通过对上述氮化硅生坯在不同的气氛下排胶,研究了排胶后生坯的形貌和气孔分布,结果表明:在空气气氛下排胶,可以获得颗粒均匀分散、几乎无有机物残留的完整无缺陷生坯;在氮气气氛下排胶,可以获得颗粒均匀分散的完整生坯,但残余的灰分很难排除。
李平华[7]（2018）在《一种厚膜混合集成DC/DC开关电源的设计与实现》文中研究指明厚膜混合集成DC/DC开关电源与传统的线性稳压电源相比具有效率高、体积小、重量轻,以及更宽的稳压范围及更小的输出纹波的特点,在航空、船舶、汽车、航天、工业机器人以及军工等领域都有着更广泛的应用。为研制环境适应性好、精度高的厚膜混合集成DC/DC电源电路,论文针对厚膜混合集成DC/DC电源电路制备过程中的核心设计技术和关键制备工艺技术进行了分析探讨,为高质量厚膜混合集成电路的制备提供了可行的工艺方案,并试验制备出了电路样品。本文针对一种5W、±5V双路输出的小型厚膜混合集成DC/DC开关电源进行了研究,详细研究了该开关电源的原理设计和工艺制备过程,并重点对厚膜混合集成DC/DC开关电源的电路原理设计、厚膜及模块版图设计、封装和结构设计、工艺流程设计、测试技术和筛选试验等内容进行了探讨和分析。详细论述了该电源电路的原理设计过程,涉及到的设计过程主要包括UCC2800控制器的选择、变压器设计、输出电路设计、EMI滤波电路设计,以及反馈电路设计等内容。电源工艺设计部分重点对本电路的重点和关键工艺加工技术进行了研究,包括:SMT组装工艺、基板及管壳的焊接组装工艺、内部多余物控制技术、变压器绕制工艺、变压器焊接工艺以及平行缝焊工艺。同时,针对传统基板焊接等工艺的技术问题进行优化和改进,提高了基板焊接质量。电路样品测试结果表明,该DC/DC开关电源的整体效率约为75%;当输出电压+5V和-5V时,电压的精度值在0.30%以内,纹波在30mV以内。电源各项指标均满足设计技术指标的要求。开关电源具有输出电压精度高、纹波小的优点,性能满足批量生产的要求,具有一定的市场推广价值。本文开展的厚膜混合集成DC/DC开关电源技术设计和工艺研究,希望对设计小尺寸、高可靠性的混合集成DC/DC开关电源有着一定的参考和借鉴价值。
张远生[8]（2015）在《DH公司竞争战略研究》文中研究指明片式电阻是最重要的基础元件之一,也是电子信息产业的重要组成。近十年来,全球电阻产业发展迅猛,每年增长幅度达10%以上。在全球片阻的产业分布中,日本企业技术水平遥遥领先,韩国、台湾企业次之,中国企业水平最低。片阻行业是全球化竞争的行业之一,这个行业已进入了其生命周期的成熟期,规模较为集中,同质化竞争非常严重。国内片阻行业发展起步较迟,工艺技术整体水平落后于国际同行,国内企业技术研发投入不足,被跨国公司挤压在产业链的低端,高端产品开发能力薄弱,产品结构升级缓慢。经过2002年和2008年两次全球经济危机的打击,国内片式电阻器行业具有一定规模的内资企业,仅剩DH公司一家,国内市场大部分被台资企业占领。DH公司是国内最大的片式电阻生产厂,是国内主板上市公司风华高科公司的下属企业。DH公司在全球行业排名第六位,技术水平已经超越国内同行,达到台湾、韩国同行的水平。DH公司目前面临的困难是产能规模偏小,技术能力处于中等水平,论技术竞争能力比不上日本企业,论规模成本竞争能力比不上台湾企业,在行业中的位置比较尴尬。近年遭受国际同行的强大竞争压力,发展面临巨大的挑战。本着理论与实践相结合的原则,本文首先阐述了国内外竞争战略的有关理论,介绍了DH公司的概况和回顾了该公司的发展历程,然后结合片阻的行业机构和环境分析,综合运用竞争战略理论、战略管理理论、经济学、人力资源管理学、统计学等相关理论进行定性分析与定量分析,通过理论与实证相结合的方法,对差异化战略及DH公司的差异化战略进行分析研究。进而制定该公司差异化的竞争战略,在市场上避免与同行巨头进行规模与价格的正面竞争,采取差异化的技术与服务措施,占领特定的客户群体及市场领域。同时着力提升技术研发能力,通过自主创新、引进吸收、兼并孵化、技术合作等策略,使该公司的竞争能力逐步超越台湾、韩国对手,达到日本同行企业的水平,成为全球同行业的领先企业。最后,本文提出,企业要想获取持久的差异化竞争优势,在竞争中应该多领域建立差异化,而不是单一经营要素的差异化。应该从产品技术能力、服务能力、管理能力、营销能力等多方面着手,构建全方位的差异化格局,获取竞争优势。本文通过对DH公司的竞争战略全面、科学的研究,为其他处于充分竞争环境中的电子元件企业提供参考,具有一定的创新和借鉴价值。
刘晓琴[9]（2015）在《高温铜电子浆料的制备及性能研究》文中研究指明电子浆料的导电相大多以铂、钯、金和银等贵金属粉末为主,银的价格相对较低,所以银浆的商品化程度最高。近几年银的价格越来越高,银浆料的生产成本也随之增加,加之银浆料本身存在的银离子迁移问题,因此,降低成本,以廉价金属代替贵金属制备电子浆料己成为近年来的发展趋势。本文针对铜粉存在的易氧化、易团聚、铜浆与基体结合强度低、烧结后铜导电膜的电导率和综合力学性能达不到工业化生产的要求等问题,重点研究了超细铜粉表面改性工艺、铜电子浆料的配方和烧结工艺。通过工艺参数优化,得出一条可工业化生产、具有优良导电性能、且能长期存放的环保型高温铜电子浆料的制备工艺。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、四探针电阻测试仪等研究了铜粉的粉末特性参数、玻璃粉粉末的特性参数和组成、铜电子浆料的相关性能等。通过研究发现:1.以抗坏血酸（L-ascorbic acid）为还原剂和稳定剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为分散剂,运用化学液相还原法将Cu2+还原成单质Cu。通过工艺优化,得出两组最优的工艺配方:1)m（1μm铜粉）:m（抗坏血酸）:m（PVP）=6780:1525:511;2)m（15μm铜粉）:m（抗坏血酸）:m（PVP）=5971:2025:516。将上述两个配方制备的铜电子浆料烧结后发现:配方1)制备的铜膜其最低电阻为18.505mΩ/□,配方2)制备的铜膜其最低电阻为15.15mΩ/□,揭示了抗坏血酸还原超细铜粉表面铜氧化物的机理。2.以玻璃粉为添加剂,小粒径和形状不规则的铜粉为导电相,乙基纤维素、乙酸乙酯、松油醇等为有机溶剂,通过实验优化得出电子浆料中1μm和15μm铜粉最佳的配方:1)m（1μm铜粉）:m（15μm铜粉）=1015:8590;2)m（铜粉）:m（玻璃粉+有机载体）=7585:1525。在氮气气氛中450℃烧结后制备的导电铜膜其边缘平整、致密和孔洞率小,具有优异的导电性能,电阻率可降低至21.08mΩ/□。发现小粒径、形貌不规则的铜粉有利于制备导电性能优异的铜浆,由其制备的铜电子浆料具有良好的丝网印刷性。3.以优化的最佳铜电子浆料配方（m（1μm铜粉）:m（15μm铜粉）:m（玻璃粉）:m（有机载体）=1215:5261:713:1525）制备铜电子浆料,在高温烧结后制备的导电铜膜发现其具有良好导电性能（12.62mΩ/□）和结合强度（1级）。4.在各组分最佳比例下制备的导电铜膜的最佳性能:方阻是12.62mΩ/□;室温条件放置半年,电阻变化率为42%;500℃保温一个小时,玻璃粉没有出现析晶现象;显示了良好的耐老化性能。
蒋盼[10]（2015）在《氮化铝陶瓷直接覆铜基板的制备及性能研究》文中提出氮化铝陶瓷直接覆铜基板具有优良的导电和导热性能,在大功率、高密度封装领域具有广泛的应用前景。本文对直接覆铜法制备AlN陶瓷覆铜基板的工艺条件进行了探索,采用分别在无氧铜片和AlN基片上进行预氧化的方法,从而形成相应的Cu2O和Al2O3氧化层,然后通过化学反应形成封接良好的界面,制备出AlN陶瓷直接敷铜基板。铜片高温预氧化实验表明在9001050℃之间,当氧气体积分数为2%10%时,铜片表面可生成纯的Cu2O层。Cu2O层厚度随温度和氧含量的增加而逐渐增加,达到一定厚度后产生剥落。氧化层厚度随氧化时间呈抛物线变化规律,当氧化温度和氧气体积分数分别为1000℃和4%时,氧化层厚度随时间变化符合抛物线规律x2=194t-955。铜片氧化层表面形貌取决于氧化速率,低氧化速率下可形成平整致密的Cu2O层,高的氧化速率下形成Cu2O纳米球形颗粒,均匀氧化亚铜纳米球形颗粒可以在氧化温度为1000℃,氧含量为4%,氧化时间为10min的条件下制备。AlN基片预氧化实验表明,在1200℃下,氧化层厚度增长缓慢,氧化层表面平整且致密;在1250℃下的氧化层表面有孔洞出现,并且随着氧化时间从30min延长到120min,氧化层上的孔洞数量也相应减少;在1300℃下,由于氧化速率过快,氧化层表面有裂纹产生。对覆接工艺的探索表明合适的覆接温度和时间分别为1080℃和25min。通过对基板截面和断面的分析可知,基板最脆弱的部分是AlN陶瓷基片与其表面氧化层结合的地方,此断面的主要物相是Al2O3和AlN。AlN陶瓷直接覆铜基板的结合强度随着铜片氧化层厚度的增加而降低,表明预氧化层厚度是影响覆铜基板结合强度的关键因素。
二、大尺寸厚膜电路陶瓷基片走俏市场（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、大尺寸厚膜电路陶瓷基片走俏市场（论文提纲范文）
（1）基于HTCC工艺用于DG～20GHz超宽带表贴式陶瓷封装外壳传输结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文研究内容及安排 |
| 第二章 多层共烧陶瓷技术 |
| 2.1 厚膜多层技术 |
| 2.2 高温共烧陶瓷技术 |
| 2.2.1 高温共烧陶瓷材料 |
| 2.2.2 高温共烧陶瓷工艺 |
| 2.3 低温共烧陶瓷技术 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 传输线基本理论 |
| 3.1 传输线的集总参数模型 |
| 3.1.1 判断集总参数电路的方法 |
| 3.1.2 传输线的集总参数等效电路分析 |
| 3.2 传输线的损耗 |
| 3.2.1 导体损耗 |
| 3.2.2 介质损耗 |
| 3.2.3 趋肤效应 |
| 3.2.4 无耗传输线 |
| 3.3 传输线的工作参量 |
| 3.3.1 输入阻抗 |
| 3.3.2 反射系数 |
| 3.3.3 驻波系数 |
| 3.3.4 传输系数 |
| 3.4 无耗传输线的工作模式 |
| 3.4.1 行波模式 |
| 3.4.2 纯驻波模式 |
| 3.4.3 行驻波模式 |
| 3.5 传输线的散射参数 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 微波集成传输线建模与仿真 |
| 4.1 基础微波传输线 |
| 4.1.1 带状线 |
| 4.1.2 微带线 |
| 4.1.3 共面波导线 |
| 4.2 平面传输结构 |
| 4.2.1 微带线-带状线 |
| 4.2.2 共面波导线-带状线-共面波导线 |
| 4.3 垂直传输结构 |
| 4.3.1 共面波导线-类同轴线-共面波导线 |
| 4.3.2 共面波导线-类同轴线-带状线-类同轴线-共面波导线 |
| 4.3.3 带状线-类同轴线-BGA-类同轴线-共面波导线 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 表贴式陶瓷外壳设计研制与应用验证 |
| 5.1 外壳建模仿真 |
| 5.2 实物生产与测试 |
| 5.3 样件可靠性试验 |
| 5.4 样件的应用验证 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 |
（2）固态继电器用裸芯片验收评价技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 |
| 1.1.1 课题研究背景 |
| 1.1.2 课题研究目的和意义 |
| 1.2 国内外现状 |
| 1.3 课题主要研究内容 |
| 第二章 固态继电器用裸芯片评价流程设计 |
| 2.1 用于固态继电器的半导体裸芯片 |
| 2.2 二极管与稳压管裸芯片评价流程设计 |
| 2.2.1 二极管与稳压管裸芯片的结构分析 |
| 2.2.2 二极管与稳压管塑封器件评价流程分析 |
| 2.2.3 二极管与稳压管裸芯片评价流程优化设计 |
| 2.3 三极管裸芯片评价流程设计 |
| 2.3.1 三极管裸芯片结构分析 |
| 2.3.2 三极管塑封器件评价流程分析 |
| 2.3.3 三极管裸芯片评价流程优化设计 |
| 2.4 场效应晶体管裸芯片评价流程设计 |
| 2.4.1 场效应晶体管裸芯片结构分析 |
| 2.4.2 场效应晶体管塑封器件评价流程分析 |
| 2.4.3 场效应晶体管裸芯片评价流程优化设计 |
| 2.5 发光二极管裸芯片和光电二极管阵列裸芯片评价流程 |
| 2.5.1 发光二极管裸芯片和光电二极管阵列裸芯片结构分析 |
| 2.5.2 光电耦合器塑封器件评价流程分析 |
| 2.5.3 发光二极管和光电二极管阵列裸芯片评价流程优化设计 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 固态继电器用裸芯片评价试验接口设计 |
| 3.1 裸芯片评价试验接口分析 |
| 3.2 二极管、稳压管和三极管裸芯片评价试验接口设计 |
| 3.3 场效应晶体管裸芯片评价试验接口设计 |
| 3.3.1 小功率型场效应晶体管裸芯片评价试验接口设计 |
| 3.3.2 中功率型场效应晶体管裸芯片评价试验接口设计 |
| 3.4 发光二极管裸芯片和光电二极管阵列裸芯片试验接口设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 固态继电器用裸芯片评价试验工艺流程设计 |
| 4.1 二极管、稳压管与三极管裸芯片评价试验装配工艺流程优化设计 |
| 4.2 场效应晶体管裸芯片评价试验装配工艺流程优化设计 |
| 4.2.1 小功率型场效应晶体管裸芯片评价试验装配工艺流程设计 |
| 4.2.2 中功率型场效应晶体管裸芯片评价试验装配工艺流程设计 |
| 4.3 发光二极管和光电二极管阵列裸芯片评价试验装配工艺流程优化设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 固态继电器用裸芯片评价试验验证 |
| 5.1 试验方案 |
| 5.1.1 抽样方案 |
| 5.1.2 评价试验项目 |
| 5.2 评价试验 |
| 5.3 试验结果分析 |
| 5.3.1 二极管裸芯片试验结果与数据分析 |
| 5.3.2 稳压管裸芯片试验结果与数据分析 |
| 5.3.3 三极管裸芯片试验结果与数据分析 |
| 5.3.4 场效应管裸芯片试验结果与数据分析 |
| 5.3.5 发光二极管和光电二极管阵列裸芯片试验结果与数据分析 |
| 5.3.6 汇总分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（3）片式薄膜电阻器薄膜层制备工艺开发与优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 本论文研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外技术现状和发展趋势 |
| 1.3 片式薄膜电阻器的需求分析 |
| 1.4 本论文的研究内容 |
| 第二章 溅射工艺开发与优化研究 |
| 2.1 关于溅射技术的概述 |
| 2.1.1 离子束溅射原理 |
| 2.1.2 溅射镀膜主要过程 |
| 2.1.2.1 溅射清洗 |
| 2.1.2.2 溅射镀膜 |
| 2.1.3 薄膜技术概述 |
| 2.1.3.1 薄膜技术研究方向和内容 |
| 2.1.3.2 薄膜材料 |
| 2.1.4 片式薄膜电阻器薄膜层形成原理 |
| 2.2 离子束溅射工艺试验及研究 |
| 2.2.1 表面粗糙度对薄膜层稳定性的影响 |
| 2.2.1.1 表面粗糙度测试 |
| 2.2.1.2 表面粗糙度对阻值的影响 |
| 2.2.1.3 粗糙度对TCR的影响 |
| 2.2.2 薄膜电阻层溅射工艺开发与优化研究 |
| 2.2.2.1 溅射对薄膜层阻值及TCR影响研究 |
| 2.2.2.2 离子源参数对溅射工艺影响研究 |
| 2.2.2.3 结论 |
| 2.2.3 辅助离子源的影响研究 |
| 2.2.3.1 试验条件 |
| 2.2.3.2 试验数据分析 |
| 2.2.4 溅射对电阻薄膜层的性能影响研究 |
| 2.2.4.1 试验方案 |
| 2.2.4.2 试验结果 |
| 2.2.4.3 验证试验 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 热处理工艺开发与优化研究 |
| 3.1 热处理制备技术原理 |
| 3.2 热处理对薄膜性能的影响 |
| 3.3 热处理设备温度均匀性研究 |
| 3.3.1 设备本身温度均匀性研究 |
| 3.3.2 热处理区域对阻值均匀性影响研究 |
| 3.3.3 研究结果分析及解决措施 |
| 3.4 热处理工艺试验 |
| 3.4.1 试验方案 |
| 3.4.2 试验结果分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 激光调阻工艺开发与优化研究 |
| 4.1 激光调阻制备技术原理 |
| 4.2 激光调阻对电阻薄膜层高精度影响 |
| 4.2.1 激光调阻工艺参数研究 |
| 4.2.2 激光调阻过程控制研究 |
| 4.2.2.1 试验方案 |
| 4.2.2.2 试验数据分析 |
| 4.2.3 工程因素研究及验证试验 |
| 4.2.3.1 试验方案 |
| 4.2.3.2 试验分析和结论 |
| 4.2.3.3 验证试验 |
| 4.2.3.4 符合性验证 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 本文完成的主要工作 |
| 5.1.1 开发和优化制备工艺 |
| 5.1.1.1 溅射成膜工艺研究 |
| 5.1.1.2 激光调阻工艺研究 |
| 5.1.2 片式薄膜电阻器产业化 |
| 5.2 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）无机胶粘接制备三维陶瓷基板技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 电子封装技术 |
| 1.2 电子封装用基板 |
| 1.3 三维陶瓷基板研究现状 |
| 1.4 无机粘接胶 |
| 1.5 课题来源及本文研究内容 |
| 2 铝硅酸盐无机胶的制备与性能分析 |
| 2.1 铝硅酸盐无机胶性能要求 |
| 2.2 铝硅酸盐无机胶粘剂的制备 |
| 2.3 铝硅酸盐无机胶粘剂性能分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 无机胶粘接制备三维陶瓷基板技术 |
| 3.1 实验材料 |
| 3.2 粘接制备工艺 |
| 3.3 粘接对准精度 |
| 3.4 无机胶工艺性能表征 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 三维陶瓷基板工艺参数优化与测试 |
| 4.1 无机胶粘接层厚度参数优化 |
| 4.2 固化温度参数优化 |
| 4.3 围坝内径参数优化 |
| 4.4 三维陶瓷基板性能测试与应用 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 今后工作及研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（5）陶瓷压阻式压力传感器设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 研究背景和意义 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.4 论文研究内容及设计要求 |
| 1.5 论文章节安排 |
| 第二章 压力传感器的设计 |
| 2.1 压力传感器的工作原理 |
| 2.1.1 厚膜电阻的导电机理与压阻效应 |
| 2.1.2 压力传感器的输出 |
| 2.2 陶瓷膜片的力学特性 |
| 2.2.1 薄板小挠度理论 |
| 2.2.2 膜片的工作特性 |
| 2.3 陶瓷压力传感器的结构设计 |
| 2.3.1 压力传感器的结构设计 |
| 2.3.2 基于COMSOL的弹性膜片厚度验证 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 厚膜电阻浆料的改性研究 |
| 3.1 丝网印刷技术介绍 |
| 3.2 厚膜浆料的确定 |
| 3.2.1 厚膜浆料介绍 |
| 3.2.2 厚膜浆料的选用 |
| 3.3 厚膜电阻应变计印刷及烧结工艺 |
| 3.3.1 厚膜电阻应变计的图形设计 |
| 3.3.2 丝网的设计与制作 |
| 3.3.3 导体电极浆料的印烧 |
| 3.3.4 厚膜电阻浆料的印烧 |
| 3.4 改性实验 |
| 3.4.1 改性剂的选择 |
| 3.4.2 厚膜电阻应变计性能表征 |
| 3.4.3 厚膜应变计尺寸影响验证 |
| 3.4.4 改性实验结果与分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 陶瓷压力传感器的研制 |
| 4.1 厚膜电路的设计 |
| 4.2 厚膜电路的印烧工艺 |
| 4.3 整体装配设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 压力传感器的测试与补偿研究 |
| 5.1 压力传感器静态测试 |
| 5.2 压力传感器误差分析 |
| 5.3 压力传感器的温度补偿与测试 |
| 5.3.1 硬件温度补偿 |
| 5.3.2 软件温度补偿 |
| 5.3.3 软件温度补偿测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（6）环保非水基流延成型制备高质量氧化锆陶瓷基片及氮化硅生坯的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 氧化锆陶瓷的性能及应用 |
| 1.2.1 氧化锆的晶体结构及特性 |
| 1.2.2 氧化锆陶瓷的稳定性 |
| 1.2.3 氧化锆陶瓷的主要应用 |
| 1.3 氮化硅陶瓷的性能及应用 |
| 1.3.1 氮化硅的晶体结构及特性 |
| 1.3.2 氮化硅陶瓷的主要应用 |
| 1.4 流延成型介绍 |
| 1.4.1 陶瓷材料的成型工艺简介 |
| 1.4.2 流延成型简介 |
| 1.4.3 流延成型的优势 |
| 1.4.4 流延成型应用领域 |
| 1.4.5 流延成型的工艺研究进展 |
| 1.4.6 流延工艺存在的问题与发展方向 |
| 1.5 研究目的、主要内容及创新点 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 主要内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 2 流延成型制备氧化锆基板的工艺研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验所用原料、设备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.3 本实验工艺流程图 |
| 2.4 本实验中涉及的测试表征方法 |
| 2.5 ZrO_2浆料的制备 |
| 2.5.1 球磨转速对悬浮液流变性能的影响 |
| 2.5.2 分散剂含量对悬浮液流变性能的影响 |
| 2.5.3 粘结剂含量对浆料流变性能的影响 |
| 2.5.4 R(增塑剂与粘结剂的质量比)值对浆料流变性能的影响 |
| 2.5.5 固含量对浆料流变性能的影响 |
| 2.6 ZrO_2生坯的制备及表征 |
| 2.6.1 ZrO_2生坯的宏观形貌 |
| 2.6.2 ZrO_2生坯的表面粗糙度 |
| 2.6.3 ZrO_2生坯的微观形貌 |
| 2.6.4 冷等静压对ZrO_2流延生坯致密度的影响 |
| 2.7 ZrO_2生坯的排胶及表征 |
| 2.7.1 制定排胶制度 |
| 2.7.2 排胶后样品的形貌 |
| 2.7.3 排胶后样品的气孔分布 |
| 2.8 ZrO_2坯片的烧结与表征 |
| 2.8.1 ZrO_2烧结装置图 |
| 2.8.2 ZrO_2生坯烧结后的宏观与微观形貌 |
| 2.9 本章小结 |
| 3 流延成型制备氮化硅生坯片的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验所用原材料、设备 |
| 3.2.1 实验原料 |
| 3.2.2 实验设备 |
| 3.3 本实验工艺流程图 |
| 3.4 本实验中涉及的测试表征方法 |
| 3.5 Si_3N_4 浆料的制备 |
| 3.5.1 分散剂含量对流延浆料流变性能的影响 |
| 3.5.2 粘结剂含量对流延浆料流变性能的影响 |
| 3.5.3 固相含量对流延浆料流变性能的影响 |
| 3.6 Si_3N_4 生坯的制备与表征 |
| 3.6.1 不同固含量流延生坯的微观形貌与气孔分布 |
| 3.6.2 Si_3N_4 生坯的宏观形貌 |
| 3.6.3 Si_3N_4 生坯的表面粗糙度 |
| 3.6.4 Si_3N_4 生坯表面的微观形貌及元素分布 |
| 3.6.5 冷等静压对Si_3N_4 流延生坯致密度的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 氮化硅生坯的排胶工艺研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 排胶装置设计 |
| 4.2.2 分析表征 |
| 4.3 不同气氛下氮化硅的排胶工艺 |
| 4.3.1 空气气氛下排胶工艺研究 |
| 4.3.2 氮气气氛下排胶工艺研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（7）一种厚膜混合集成DC/DC开关电源的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 DC/DC开关电源 |
| 1.2 开关电源的优势 |
| 1.3 各种形式开关电源对比 |
| 1.4 开关电源发展趋势 |
| 1.5 厚膜混合集成工艺发展现状 |
| 1.6 研究意义与主要研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 主要研究内容 |
| 第二章 开关电源工作原理 |
| 2.1 电路拓扑结构对比 |
| 2.2 反激式变换器的基本工作原理 |
| 2.3 调制方式 |
| 2.4 控制模式 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 电路设计 |
| 3.1 设计流程 |
| 3.2 技术指标 |
| 3.3 电路工作原理 |
| 3.3.1 电路原理框图 |
| 3.3.2 电路的工作原理 |
| 3.4 电路设计 |
| 3.4.1 确定工作频率 |
| 3.4.2 确定最大占空比 |
| 3.4.3 变压器的设计 |
| 3.4.4 输出级电路设计 |
| 3.4.5 功率开关管设计 |
| 3.4.6 控制电路的选型 |
| 3.4.6.1 UCC2800控制器简介 |
| 3.4.6.2 UCC2800控制器外围电路设计 |
| 3.4.7 反馈电路设计 |
| 3.4.8 过流保护电路设计 |
| 3.4.9 原理图设计 |
| 3.5 电路热设计 |
| 3.6 封装结构设计 |
| 3.7 版图设计 |
| 3.7.1 版图规则设计 |
| 3.7.2 布局和布线 |
| 3.7.2.1 布局设计规则 |
| 3.7.2.2 布线设计规则 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 产品工艺设计与实现 |
| 4.1 工艺流程图设计 |
| 4.2 主要工艺技术 |
| 4.2.1 厚膜多层工艺 |
| 4.2.1.1 工艺参数设计 |
| 4.2.1.2 膜厚测量 |
| 4.2.1.3 烧结工艺 |
| 4.2.2 基板焊接工艺 |
| 4.2.2.1 改进助焊剂残留问题 |
| 4.2.2.2 降低焊接空洞率 |
| 4.2.3 表面贴装工艺 |
| 4.2.3.1 设备选择及参数设置 |
| 4.2.3.2 表贴组装工艺过程 |
| 4.2.3.3 焊接质量不良因素 |
| 4.2.3.4 焊接质量改进方案 |
| 4.2.4 清洗工艺 |
| 4.2.5 平行缝焊工艺 |
| 4.2.6 变压器制作工艺 |
| 4.2.7 变压器与外壳的粘接 |
| 4.2.8 PIND控制 |
| 4.2.8.1 多余物的产生 |
| 4.2.8.2 多余物的检测 |
| 4.2.8.3 多余物的处理控制 |
| 4.2.9 内部水汽含量控制 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 产品测试及可靠性试验 |
| 5.1 封装后的DC/DC开关电源 |
| 5.2 电源测试 |
| 5.2.1 测试原理图 |
| 5.2.2 测试用仪器设备 |
| 5.2.3 测试说明 |
| 5.3 关键点波形 |
| 5.4 测试数据 |
| 5.5 筛选试验 |
| 5.5.1 高温贮存 |
| 5.5.2 温度循环 |
| 5.5.3 电老炼 |
| 5.5.4 老炼测试结果 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要的贡献 |
| 6.2 后续工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（8）DH公司竞争战略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景、目的及意义 |
| 1.1.1 本文的研究背景 |
| 1.1.2 本文研究目的与意义 |
| 1.2 研究的思路与方法 |
| 1.3 国内外片阻竞争战略研究的现状 |
| 1.4 竞争战略理论 |
| 1.5 本文的结构安排 |
| 1.6 本文可能的创新点 |
| 第二章 外部环境分析 |
| 2.1 宏观经济及产业前景分析 |
| 2.2 产业竞争分析 |
| 2.3 关键成功因素分析 |
| 2.4 机会与威胁分析 |
| 第三章 内部资源能力分析 |
| 3.1 公司发展历史 |
| 3.2 企业资源分析 |
| 3.2.1 有形资源分析 |
| 3.2.2 无形资源分析 |
| 3.3 企业能力分析 |
| 3.3.1 管理能力 |
| 3.3.2 技术能力 |
| 3.3.3 生产能力 |
| 3.3.4 营销能力 |
| 3.4 优势与劣势 |
| 第四章 战略定位 |
| 4.1 SWOT分析 |
| 4.2 公司的战略愿景及使命 |
| 4.3 目标市场分析 |
| 4.4 DH公司的战略定位 |
| 4.4.1 差异化竞争战略理论 |
| 4.4.2 DH公司的差异化竞争战略 |
| 4.5 价值创造活动 |
| 第五章 战略实施的各个阶段与实施策略 |
| 5.1 战略实施的各个阶段 |
| 5.2 战略实施的具体策略 |
| 5.2.1 企业文化与管理创新策略 |
| 5.2.2 组织结构优化与人才资源策略 |
| 5.2.3 营销策略 |
| 5.2.4 产品与技术发展策略 |
| 5.2.5 与日本同行合作代工的策略 |
| 5.2.6 资本运作（兼并与重组）策略 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（9）高温铜电子浆料的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子浆料简介 |
| 1.2.1 电子浆料分类 |
| 1.2.2 电子浆料组成 |
| 1.3 电子浆料研究发展现状 |
| 1.3.1 电子浆料在国外研究发展现状 |
| 1.3.2 电子浆料在国内研究发展现状 |
| 1.3.3 电子浆料发展趋势 |
| 1.3.4 电子浆料高性价比 |
| 1.4 高温导电铜浆简介 |
| 1.4.1 高温铜电子浆料的研究进展 |
| 1.4.2 高温铜电子浆料的组成及制备工艺 |
| 1.5 本课题的研究意义和研究内容 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 |
| 1.5.2 本论文研究内容 |
| 2 理论基础 |
| 2.1 超细铜粉表面改性机理 |
| 2.1.1 超细铜粉的简介 |
| 2.1.2 超细铜粉表面改性技术 |
| 2.1.3 抗坏血酸（L-ascorbic acid）与铜氧化物的反应机理 |
| 2.1.4 聚乙烯吡咯烷酮（PVP）与铜氧化物的反应机理 |
| 2.2 硅烷偶联剂（KH550）与铜粉的作用机理 |
| 2.3 丝网印刷技术原理 |
| 2.4 导电铜浆导电机理及玻璃粉附着机理 |
| 2.5 检测及分析方法 |
| 2.5.1 X射线衍射分析 |
| 2.5.2 扫描电子显微镜分析 |
| 2.5.3 能谱分析 |
| 2.5.4 导电铜膜的电阻测试 |
| 2.5.5 导电铜膜的附着强度测试 |
| 2.5.6 导电铜膜硬度测试 |
| 2.5.7 导电铜膜的稳定性能测试 |
| 2.5.8 导电铜膜的抗氧化性能测试 |
| 2.5.9 浆料的粘度测试 |
| 3 铜浆料用超细铜粉表面改性技术研究及其对铜浆料性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验原料及设备 |
| 3.3 试验方法 |
| 3.3.1 一步法制备预包覆铜粉 |
| 3.3.2 两步法制备预包覆铜粉 |
| 3.4 预包覆铜粉的外观形貌表征 |
| 3.4.1 包覆铜粉的表观色泽 |
| 3.4.2 不同包覆法对铜粉表面形貌和分散程度的影响 |
| 3.5 预包覆铜粉的导电性能表征 |
| 3.6 预包覆铜粉的物相确定 |
| 3.7 预还原剂浓度的确定 |
| 3.8 分散剂浓度的确定 |
| 3.9 包覆铜粉导电稳定性研究 |
| 3.10 铜粉添加量对铜浆料导电性能的影响 |
| 3.11 本章小结 |
| 4 铜浆料用有机载体的制备及其对铜浆料性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验原料 |
| 4.3 实验原料的性质及选择依据 |
| 4.4 实验方法 |
| 4.5 有机载体性能表征 |
| 4.5.1 溶解度测定 |
| 4.5.2 粘度测定 |
| 4.5.3 流平性测定 |
| 4.6 结果与讨论 |
| 4.6.1 有机载体配比确定 |
| 4.6.2 流平性测定 |
| 4.6.3 干燥温度及时间的确定 |
| 4.7 有机载体含量对烧结后导电铜膜性能的影响 |
| 4.7.1 有机载体含量对铜浆料的印刷性能影响 |
| 4.7.2 有机载体含量对铜浆料的导电性能影响 |
| 4.7.3 有机载体含量对铜浆料粘度的影响 |
| 4.7.4 有机载体含量对铜膜层微观结构的影响 |
| 4.8 本章小结 |
| 5 玻璃粘结相对铜浆料微观组织和性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 玻璃粘结相的选择 |
| 5.3 玻璃粉软化温度对导电铜膜导电性能的影响 |
| 5.4 玻璃粉含量对导电铜膜导电性能的影响 |
| 5.5 玻璃粉含量对导电铜膜微观结构的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 烧结工艺的确定及其对导电铜膜层性能的影响 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 铜浆料烧结方案的制定 |
| 6.3 烧结温度对导电铜膜层表观形貌的影响 |
| 6.4 烧结温度对铜导电膜层导电性能的影响 |
| 6.5 烧结温度对铜导电膜层微观形貌的影响 |
| 6.6 保温时间对导电铜膜层导电性能的影响 |
| 6.7 本章小结 |
| 7 铜电子浆料制备与印刷工艺对铜膜层导电性能的影响 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 固体粉末混合工艺对铜浆性能的影响 |
| 7.3 固液混合工艺对铜浆性能的影响 |
| 7.4 丝网印刷工艺对铜浆性能的影响 |
| 7.5 湿态铜粉直接配制铜电子浆料的新工艺 |
| 7.5.1 湿态法制备的铜导电膜层的导电性能测试 |
| 7.5.2 湿态法制备的铜导电膜层的XRD分析 |
| 7.5.4 湿态法制备的铜导电膜层的的SEM形貌分析 |
| 7.5.5 湿态法制备的铜导电膜层在空气中的导电稳定性能测试 |
| 7.5.6 湿态法制备的铜导电膜层的高温抗老化性能研究 |
| 7.6 优化结果 |
| 7.7 导电铜膜应用 |
| 7.8 本章小结 |
| 8 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 |
| 致谢 |
（10）氮化铝陶瓷直接覆铜基板的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子封装陶瓷基板材料概述 |
| 1.2.1 电子封装基板材料的发展及性能要求 |
| 1.2.2 常用封装陶瓷基板性能比较 |
| 1.2.3 氮化铝陶瓷基板概况 |
| 1.3 陶瓷表面金属化方法 |
| 1.3.1 薄膜法 |
| 1.3.2 厚膜法 |
| 1.3.3 化学镀法 |
| 1.3.4 直接覆铜法 |
| 1.4 氮化铝陶瓷直接覆铜法概述 |
| 1.4.1 氮化铝直接覆铜(AlN-DBC)技术的发展 |
| 1.4.2 氮化铝直接覆铜(AlN-DBC)技术的关键工艺 |
| 1.4.3 氮化铝直接覆铜工艺参数对结合强度的影响 |
| 1.4.4 氮化铝直接覆铜基板的特性与发展趋势 |
| 1.5 研究背景及主要内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验设计 |
| 2.2 实验原料与设备 |
| 2.2.1 主要实验原料 |
| 2.2.2 主要实验设备 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.3.1 无氧铜片高温预氧化工艺 |
| 2.3.2 氮化铝陶瓷基片预氧化工艺 |
| 2.3.3 金属/陶瓷的覆接工艺 |
| 2.4 实验表征方法 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 |
| 2.4.2 金相显微镜 |
| 2.4.3 环境扫描电子显微镜及X射线能量色散谱仪 |
| 2.5 氮化铝陶瓷直接覆铜基板的性能测试 |
| 2.5.1 基板结合强度测试方法 |
| 2.5.2 基板抗热震性的测试方法 |
| 第3章 无氧铜片高温预氧化研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 预氧化工艺条件的选择 |
| 3.3 铜片预氧化产物 |
| 3.4 预氧化工艺对氧化层厚度的影响 |
| 3.4.1 预氧化温度对氧化层厚度的影响 |
| 3.4.2 氧含量对氧化层厚度的影响 |
| 3.4.3 预氧化时间对氧化层厚度的影响 |
| 3.5 预氧化层微观结构调控 |
| 3.5.1 预氧化温度对预氧化层微观结构的影响 |
| 3.5.2 氧含量对预氧化层微观结构的影响 |
| 3.6 小结 |
| 第4章 AlN陶瓷基片预氧化研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 AlN基片预氧化产物分析 |
| 4.3 氧化温度对AlN陶瓷基片预氧化层表面形貌的影响 |
| 4.3.1 AlN陶瓷基片表面形貌 |
| 4.3.2 氧化温度和时间对AlN陶瓷基片预氧化层表面形貌的影响 |
| 4.4 氧化层厚度随氧化工艺的变化 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 覆铜工艺及基板性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 覆接工艺条件的确定 |
| 5.2.1 覆接温度 |
| 5.2.2 覆接时间 |
| 5.3 基板截面与断面的表征 |
| 5.4 铜片预氧化工艺对结合强度的影响 |
| 5.4.1 预氧化温度对结合强度的影响 |
| 5.4.2 氧含量对结合强度的影响 |
| 5.4.3 预氧化时间对结合强度的影响 |
| 5.5 基板抗热震性能的测试 |
| 5.6 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 |
四、大尺寸厚膜电路陶瓷基片走俏市场（论文参考文献）
- [1]基于HTCC工艺用于DG～20GHz超宽带表贴式陶瓷封装外壳传输结构研究[D]. 陆琪. 中国电子科技集团公司电子科学研究院, 2021
- [2]固态继电器用裸芯片验收评价技术研究[D]. 李阳阳. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [3]片式薄膜电阻器薄膜层制备工艺开发与优化[D]. 方亮. 电子科技大学, 2019(04)
- [4]无机胶粘接制备三维陶瓷基板技术研究[D]. 黄炎琴. 华中科技大学, 2019(03)
- [5]陶瓷压阻式压力传感器设计与实现[D]. 王风雷. 杭州电子科技大学, 2018(01)
- [6]环保非水基流延成型制备高质量氧化锆陶瓷基片及氮化硅生坯的研究[D]. 董其政. 景德镇陶瓷大学, 2018(06)
- [7]一种厚膜混合集成DC/DC开关电源的设计与实现[D]. 李平华. 电子科技大学, 2018(09)
- [8]DH公司竞争战略研究[D]. 张远生. 华南理工大学, 2015(03)
- [9]高温铜电子浆料的制备及性能研究[D]. 刘晓琴. 西安工程大学, 2015(04)
- [10]氮化铝陶瓷直接覆铜基板的制备及性能研究[D]. 蒋盼. 湖南大学, 2015(01)