一、采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长(论文文献综述)
江南[1](2020)在《一体化小型压水堆中熔融物堆芯滞留仿真研究》文中指出在IP200小型一体化压水堆的设计方案中,熔融物堆芯滞留(IVR,In vessel melt Retention)措施是保证放射性包络的一道最重要防线。判断IVR成功的基本原则是,下封头壁面向外传热的热流密度,必须低于压力容器外部冷却中当地沸腾的临界热流密度。但在实际的小型堆IVR场景中,真实的熔池热负荷能否低于安全限值,仍有三方面要素值得被仔细斟酌。第一,一体化小堆的自身特性(如堆芯功率密度、冷却剂装量)与事故序列(如安全系统动作、堆芯坍塌时间),将深刻影响严重事故的早期进程,进而改变下封头内熔池的形成过程。如何考虑事故早期进程对熔池形成的累计效应,将影响熔池的初始热状态准确性。第二,压力容器内熔融物冷却的过程中包含了多个复杂现象的相互作用。如何合理地量化上述现象的耦合效应,将直接影响IVR熔池的流动与传热特性。第三,压力容器外部冷却(ERVC,External Reactor Vessel Cooling)回路中冷水的流动特性,对于熔池散热的影响是不容忽视的。所以,下封头壁外的循环冷却也常被分离于内部熔池作为独立环节进行分析。特别是为自然循环提供驱动力的沸腾模式、以及流动潜在的不稳定性两方面因素的影响。为了解决上述三方面的问题,本文开展了以下相关仿真的研究。首先,本文对IP200反应堆早期事故进程进行仿真研究。该项研究旨在分析事故早期进程对熔池形成过程的影响。使用事故机理性分析程序SCDAP/RELAP5建立了反应堆及安全系统模型,模拟了SLOCA(Small break Loss Of Coolant Accident/小破口事故)叠加ESBO(Extended Station Black Out/长期全厂断电)的极限工况导致的严重事故进程。从堆芯退化一直分析至IVR状态,充分考虑熔化、坍塌等早期现象对熔池初始状态的影响。此外,讨论了IP200自身设计特征与模型差异性对熔池最大热负荷的影响。结果显示,IP200堆的单位热功率储水量较低,严重事故场景下堆芯退化进程发生得很快,从堆芯开始裸露直至局部熔化大约历时9500s。但在熔池形成过程中,堆芯组件并未完全坍塌。该项结论为评价一体化小堆安全分析的包络性提供了可靠参考。其次,对IVR熔池自身的流动传热特性进行了仿真研究。由于在机理性程序SCDAP分析中,无法保证一定能模拟出堆芯组件全部熔化坍塌时的最严重熔池场景。因此,这里有针对性地创建了三种新型熔池仿真模型,分别编制程序,用于评估IP200反应堆完全坍塌时不同的IVR特性,包括:瞬态传热特性、流场分布特性、以及分层构型特性。针对熔池瞬态传热特性,本文基于经验关系式的自然对流模型和等温凝固假设下的移动边界模型,创建了熔池瞬态传热分析程序。以LIVE-L5L熔盐实验为对象进行基准题验证计算。特别的,对动态过程中硬壳增长率的计算结果重点讨论。结果显示,等温假设下的移动边界法对于计算熔池边界上的凝固是适用的。由于引入了额外的线性假设使控制方程封闭,单层网格就能获得稳定的凝固界面追踪效果。针对熔池流场特性,研究基于单相自然对流CFD模型与焓守恒相变转换模型,构建出熔池传热与流动的精细化分布参数仿真程序。以BALI切片实验的两个不同稳态工况为基准题,验证了模型与算法适用性。然后,以IP200堆为对象进行熔池试算,依据云图与矢量图讨论了内热功率对流场分区的影响。结果显示,内热增大时,更多的高温流体将汇聚于顶部,将加剧顶部流场的涡旋结构,也削弱底部热分层效应。由于某些情况下,熔融混合物可能会出现金属相与氧化相的分层,进而改变熔池的分层结构。针对熔池分层构型特性,研究基于最终包络状态(FIBS-FInal Bounding State)概念开发了分层熔池构型的传热估算模型。模型中较全面地考虑了两层、三层、水池熔池构型。研究定量分析了氧化层内热功率与金属层特征高度对热负荷分布的影响。也讨论了重金属质量成分、水层膜态沸腾对峰值热流密度的作用效果。这些模型分别实现了凝固相变、流场演化、成层分布三个现象层面的性能突破,可以作为一种较为准确的瞬态熔池分析工具,并入系统级安全分析程序中。最后,对熔池外部ERVC回路中自然循环的流动不稳定性进行了仿真研究。使用热工水力程序RELAP5对ERVC的开式循环瞬态流动特性进行了分析,讨论了流动与传热的反馈机制。对比REPEC实验中低加热循环工况进行稳态验证,评价模型对加热段内过冷沸腾引起的两相自然循环现象的适用性。使用RELAP5对IP200堆的ERVC系统建立切片模型,并对自然循环的瞬态流动进行模拟。划分了不稳定流动的高、低过冷度边界,并依据震荡规律对加热段内过冷沸腾引发的流动不稳定性进行机理解释。结果显示,随着入口欠热度降低,自然循环将依次出现稳定-不稳定-稳定的流动状态过渡。增加背压会降低自然循环流量,整体压缩不稳定范围。减小进口阻力系数将增大循环流量,不稳定边界均会向功率升高的方向偏移。该研究也为ERVC回路内的自然循环流动机理研究提供了切入点与分类准则。本文通过仿真手段,不仅研究了反应堆宏观结构特性、微观机理特性对熔池传热的影响,也给出了IVR中关键参数的具体数值。此外,本文还初步搭建一套关于小型堆IVR研究的体系方案,旨在为工程小型堆的工程设计提供参考。
宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安[2](2005)在《勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟》文中指出采用低雷诺数K ε紊流模型,考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素,对晶体直径为 300mm,磁场强度变化范围在00 12T条件下,熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟.计算中采用有限体积法,运用SIMPLE(semi implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场,动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式,紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式.数值模拟结果表明,在勾形磁场作用下,熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同,随着磁场强度的增加,生长界面处氧的浓度降低,并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流,有利于晶体生长.
宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平[3](2004)在《紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响》文中提出本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降。晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长。
宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋[4](2004)在《勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟》文中研究指明本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析。
宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋[5](2003)在《采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长》文中研究指明为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意。
二、采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长(论文提纲范文)
(1)一体化小型压水堆中熔融物堆芯滞留仿真研究(论文提纲范文)
摘要 |
abstract |
符号注释表 |
第1章 绪论 |
1.1 研究背景与意义目的 |
1.2 国内外研究现状 |
1.2.1 核事故早期进程研究 |
1.2.2 堆内熔融物滞留研究 |
1.2.3 下封头外循环冷却研究 |
1.3 本文主要工作 |
第2章 IP200反应堆早期事故进程仿真 |
2.1 系统与模型介绍 |
2.1.1 反应堆与安全系统介绍 |
2.1.2 仿真模型介绍 |
2.2 热工水力进程仿真(案例1) |
2.2.1 喷放阶段 |
2.2.2 回流阶段 |
2.2.3 循环冷却阶段 |
2.3 堆芯退化进程仿真(案例2) |
2.4 IVR熔池仿真分析(案例2) |
2.4.1 瞬态传热分析 |
2.4.2 结构参数讨论 |
2.4.3 敏感分析 |
2.5 本章小结 |
第3章 IVR熔池瞬态传热模型研究 |
3.1 熔池模型介绍 |
3.1.1 熔池自然对流模型 |
3.1.2 凝固相变模型(移动边界法) |
3.1.3 窄缝间隙模型 |
3.1.4 压力容器壁面模型 |
3.1.5 熔池顶部辐射模型 |
3.1.6 计算流程与前提条件 |
3.2 实验验证 |
3.2.1 实验介绍 |
3.2.2 模型讨论 |
3.3 IP200熔池传热计算 |
3.3.1 熔池初始状态 |
3.3.2 瞬态计算结果 |
3.3.3 温度与热阻的讨论 |
3.4 本章小结 |
第4章 熔池流场分布CFD模型研究 |
4.1 熔池模型简介 |
4.1.1 液相熔融物模型 |
4.1.2 凝固区与上边界模型 |
4.1.3 程序求解逻辑 |
4.2 实验验证 |
4.2.1 BALI实验简介 |
4.2.2 网格无关性验证 |
4.2.3 壁函数分析 |
4.2.4 实验对比分析 |
4.3 IP200熔池流场仿真 |
4.3.1 熔池基本参数 |
4.3.2 仿真结果分析 |
4.4 本章小结 |
第5章 分层熔池热估算模型研究 |
5.1 分层熔池模型介绍 |
5.1.1 两层模型 |
5.1.2 重金属从层模型 |
5.1.3 水层模型 |
5.1.4 经验关系式 |
5.1.5 程序求解逻辑 |
5.2 AP600基准题验证 |
5.3 IP200两层熔池结构计算 |
5.3.1 热裕度评价 |
5.3.2 衰变热功率的影响 |
5.3.3 轻金属质量的影响 |
5.4 IP200其他成层结构计算 |
5.4.1 重金属层结构 |
5.4.2 水层结构 |
5.5 本章小结 |
第6章 ERVC自然循环流动特性研究 |
6.1 模型适用性验证 |
6.2 ERVC瞬态流动仿真 |
6.2.1 系统与模型简介 |
6.2.2 自然循环流动特性 |
6.2.3 震荡流型分析 |
6.3 敏感参数分析 |
6.3.1 加热功率 |
6.3.2 安全壳压力 |
6.3.3 加热段进口阻力系数 |
6.3.4 上升段高度 |
6.4 本章小结 |
结论 |
本文主要结论 |
本文创新点 |
参考文献 |
攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 |
致谢 |
(2)勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟(论文提纲范文)
1 引言 |
2 数值模型 |
2.1 紊流模型的无量纲方程 |
2.2 无量纲边界条件 |
(1) 无量纲速度边界条件 |
(2) 无量纲温度边界条件 |
(3) 无量纲紊动能和无量纲耗散率边界条件 |
(4) 无量纲氧的浓度边界条件 |
3 计算结果与分析 |
4 结论 |
(3)紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响(论文提纲范文)
1 前言 |
2 数值模型 |
2.1 紊流模型的无量纲方程 |
2.2 无量纲边界条件 |
2.2.1 无量纲速度边界条件 |
2.2.2 无量纲温度边界条件 |
2.2.3 无量纲紊动能和无量纲耗散率边界条件 |
2.2.4 无量纲氧的浓度边界条件 |
3 计算结果分析 |
3.1 自然对流、晶体旋转共同作用 |
3.2 自然对流、坩埚旋转共同作用 |
3.3 自然对流、晶体和坩埚旋转共同的影响 |
4 结论 |
(4)勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟(论文提纲范文)
1 引 言 |
2 控制方程和边界条件 |
2.1 控制方程 |
2.2 边界条件 |
2.2.1 速度边界条件 |
2.2.2 温度边界条件 |
2.2.3 氧的边界条件 |
3 勾形磁场强度的计算 |
4 计算结果 |
5 结 论 |
(5)采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长(论文提纲范文)
1 引言 |
2 Wheeler标准问题 |
3 数值方法 |
4 压力修正及SIMPLE算法 |
5 数值结果 |
6 结论 |
附录 |
四、采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长(论文参考文献)
- [1]一体化小型压水堆中熔融物堆芯滞留仿真研究[D]. 江南. 哈尔滨工程大学, 2020(04)
- [2]勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟[J]. 宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安. 半导体学报, 2005(03)
- [3]紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响[J]. 宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平. 人工晶体学报, 2004(05)
- [4]勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟[J]. 宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋. 人工晶体学报, 2004(02)
- [5]采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长[J]. 宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋. 人工晶体学报, 2003(06)